[發明專利]基板支承單元和具有該基板支承單元的基板處理裝置

有效

• 申請號: 201910277790.0
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN110349885B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 金賢秀
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明構思涉及一種基板支承單元。所述基板支承單元包括：具有由底表面和側壁限定的內部空間的卡盤臺、設置在所述內部空間中的加熱單元，所述加熱單元包括具有在中心有開口的盤形狀的底板和安裝在所述底板上且具有發射光能的加熱光源的熱生成部件、覆蓋所述內部空間且具有其上放置所述基板的上表面的石英窗、以及反射構件，所述反射構件將在所述卡盤臺的橫向方向損失的光能向所述基板反射。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年4月6日提交韓國工業產權局、申請號為10-2018-0040544的以及2019年3月15日提交韓國工業產權局、申請號為10-2019-0030155的韓國專利申請的優先權和權益，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

在此描述的本發明構思的實施方案涉及一種基板處理裝置，更具體地，涉及一種用于在基板處理期間在加熱基板時執行工藝的基板處理裝置。

背景技術

通常，在制造平板顯示設備或半導體的工藝中，執行諸如光刻膠涂覆工藝、顯影工藝、蝕刻工藝和灰化工藝等的各種工藝，以處理玻璃基板或晶圓。

在各工藝中，執行使用化學品或去離子水的濕法清潔工藝和用于干燥殘留在基板表面上的化學品或去離子水的干燥工藝，以去除粘附在基板上的各種污染物。

近年來，已經使用了在高溫下通過使用諸如硫酸或磷酸的化學溶液來選擇性地移除氮化硅膜和氧化硅膜的蝕刻工藝。

用于使用IR燈具加熱基板的基板加熱裝置被應用于使用高溫化學溶液的基板處理裝置，以改進蝕刻速率。

然而，常規的基板加熱裝置的IR燈具以等間距設置，其中考慮中心噴嘴最外側的燈具具有比基板更小的尺寸，且最內側的燈具具有特定尺寸。因此，如圖1的曲線圖所描述的，基板邊緣和中心區域上的光強分布迅速下降。

發明內容

本發明構思的實施方案提供了一種用于在基板處理期間均勻地加熱基板的基板加熱單元，以及具有該基板加熱單元的基板處理裝置。

本發明構思的實施方案提供了一種用于在基板處理期間增加基板邊緣和中心區域上的光的集中度的基板加熱單元，以及具有該基板加熱單元的基板處理裝置。

本發明構思所要解決的技術問題不限于上述問題，且本發明構思所屬領域的技術人員將從以下描述中清楚地理解本文中未提及的其他任何技術問題。

根據示例性實施方案，一種用于支承基板的裝置包括具有由底表面和側壁限定的內部空間的卡盤臺，設置在所述內部空間中的加熱單元，所述加熱單元包括具有在中心有開口的盤形狀的基板和安裝在所述基板上且具有發射光能的加熱光源的熱生成部件，覆蓋所述內部空間且具有其上放置所述基板的上表面的石英窗，以及將在所述卡盤臺的橫向方向上損失的光能向所述基板反射的反射構件。

所述反射構件可設置在圍繞所述熱生成部件的所述石英窗的邊緣的內表面上。

所述石英窗的邊緣的內表面可以是傾斜的從而從頂部到底部更靠近所述石英窗的中心。

所述石英窗的邊緣的內表面可形成為凹向所述基板的邊緣。

所述反射構件可由反射板或反射涂膜形成。

所述裝置還可包括：旋轉部件，其具有中空形狀且與所述卡盤臺結合以旋轉所述卡盤臺，和后噴嘴，其插入穿過所述旋轉部件，并位于所述卡盤臺的上部的中心，且所述后噴嘴將處理液噴射到所述基板的后表面上。

所述加熱光源可由在相對于所述底板的中心以不同半徑同心地設置的環形燈具形成。

所述底板可由將所述燈具的光能向上反射的反射器形成。

所述底板可包括反射突起，所述反射突起位于所述燈具下方，且以突起形狀突出以發散從所述燈具發射的光能。