[發明專利]利用肖特基二極管作場板制作的LDMOS及其制作方法

在審

• 申請號: 201910276468.6
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN111799172A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 林威
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;張冉

1.一種利用肖特基二極管作場板制作LDMOS的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S101、制備半導體襯底；

步驟S102、在所述半導體襯底內形成N-漂移區，同時形成肖特基二極管的陰極；

步驟S103、在所述半導體襯底內形成P型注入阱，所述P型注入阱與所述N-漂移區左右相接，形成溝道區域；

步驟S104、在所述P型注入阱與所述N-漂移區鄰接部分的上表面形成閘極；

步驟S105、在所述N-漂移區內形成所述肖特基二極管的保護環；

步驟S106、在所述P型注入阱內形成源極，所述源極包括P+有源區和第一N+有源區；

步驟S107、在所述N-漂移區內形成漏極，所述漏極包括第二N+有源區；

步驟S108、在所述閘極中靠近所述N-漂移區的一側以及所述N-漂移區的上方形成合金阻擋區，所述合金阻擋區中間開一窗口，所述窗口區域形成合金區；

步驟S109、在所述合金區上方形成接觸孔，同時形成所述肖特基二極管的陽極；

步驟S110、在所述源極、所述漏極、所述閘極和所述接觸孔區域分別引出電極引線。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述合金阻擋區由合金阻擋層光刻工藝形成。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸孔由接觸孔層光刻工藝形成。

4.一種利用肖特基二極管作場板制作的LDMOS，其特征在于，利用權利要求1～3中任意一項的方法制作而成，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底中的P型注入阱和N-漂移區，所述N-漂移區同時也是肖特基二極管的陰極；

位于所述P型注入阱中的源極，所述源極包括P+有源區和第一N+有源區；

位于所述N-漂移區中的漏極，所述漏極包括第二N+有源區；

位于所述P型注入阱和所述N-漂移區上方的閘極；

位于所述N-漂移區中的所述肖特基二極管的保護環；

位于所述閘極中靠近所述N-漂移區的一側以及所述N-漂移區的上方的合金阻擋區，以及位于所述合金阻擋區中間的合金區；

位于所述合金區上方的接觸孔，所述接觸孔同時也是所述肖特基二極管的陽極；

與所述源極、所述漏極、所述閘極和所述接觸孔電連接的電極引線。

5.如權利要求4所述的LDMOS，其特征在于，所述合金阻擋區由合金阻擋層光刻工藝形成。

6.如權利要求4所述的LDMOS，其特征在于，所述接觸孔由接觸孔層光刻工藝形成。