[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910276119.4
• 申請(qǐng)日: 2019-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111799150B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張德鑫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成第一溝槽，對(duì)所述第一溝槽進(jìn)行清洗，填充所述第一溝槽，形成被所述第一溝槽彼此隔離的有源區(qū)；

于所述有源區(qū)表面形成掩膜層；

于所述掩膜層中形成開(kāi)口，沿所述開(kāi)口蝕刻所述有源區(qū)，于所述有源區(qū)中形成第二溝槽，對(duì)所述第二溝槽進(jìn)行清洗，填充所述第二溝槽，形成所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；其中，所述第一溝槽與所述第二溝槽的間距為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有源區(qū)的關(guān)鍵尺寸；其中，于所述掩膜層中形成開(kāi)口包括：對(duì)所述掩膜層依次進(jìn)行曝光和顯影，形成圖形；采用分辨率增強(qiáng)光刻輔助化學(xué)收縮對(duì)所述圖形進(jìn)行收縮處理，形成所述開(kāi)口；其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽均包括多個(gè)，且所述第二溝槽與所述第一溝槽交替間隔排布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述襯底上形成第一溝槽，包括：

于所述襯底表面形成掩膜層；

于所述掩膜層上形成開(kāi)口，沿所述開(kāi)口蝕刻所述襯底，于所述襯底中形成所述第一溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜層包括光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜層還包括硬掩膜層，所述硬掩膜層包括碳化層和氮化層中的一種或兩種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述襯底包括硅晶圓和覆蓋所述硅晶圓的保護(hù)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層包括氧化層和覆蓋所述氧化層的氮化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，填充所述第一溝槽或第二溝槽包括：

向所述第一溝槽或第二溝槽填充氧化物。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述方法制備得到。