[發(fā)明專利]改善光阻附著力的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910275747.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN110083015A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭釗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/16
• 分類號(hào): G03F7/16
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明公開一種改善光阻附著力的方法，包括以下步驟：S10提供一玻璃基板；以及S20提供一烷氧基硅烷至所述玻璃基板，使所述烷氧基硅烷與所述玻璃玻璃基板進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，得到一表面帶有疏水基團(tuán)的玻璃基板以及一水解產(chǎn)物。利用本發(fā)明之改善光阻附著力的方法，使基板能有效吸附有機(jī)光阻，且過(guò)程中產(chǎn)物易于回收利用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種光阻制程工藝，特別是有關(guān)于一種改善光阻附著力的方法。

背景技術(shù)

有機(jī)光阻在整個(gè)光阻(PR)工藝(PR涂布，PR顯影，PR剝離)中具備很好的掩膜特性，在后期的曝光顯影及蝕刻后能夠得到理想的膜層形狀，其中光阻涂布過(guò)程中有機(jī)光阻和基板的附著力尤其重要。目前基板在進(jìn)入光阻涂布機(jī)前，會(huì)先進(jìn)入六甲基二硅氮烷(HMDS)的處理裝置，對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化修飾，從而增加基板對(duì)有機(jī)光阻的附著力。

圖1為現(xiàn)有光刻工藝中六甲基二硅氮烷(HMDS)的作用機(jī)制示意圖。在現(xiàn)有光刻工藝中，六甲基二硅氮烷(HMDS)首先得去水干燥(100℃-120℃)，此時(shí)會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的能耗；其次將六甲基二硅氮烷(HMDS)涂覆于基板表面來(lái)增加光阻(PR)與基板之間的緊密性，此過(guò)程會(huì)產(chǎn)生NH₃，進(jìn)而增加尾氣處理的成本。

因此，基于上述種種弊端，亟需一種改善光阻附著力的方法，使基板能有效吸附有機(jī)光阻，且過(guò)程中產(chǎn)物易于回收利用；提供一種能取代六甲基二硅氮烷(HMDS)的材料，進(jìn)一步降低能耗，減少整個(gè)光阻制程的成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種改善光阻附著力的方法，利用含大量疏水基團(tuán)的烷氧基硅烷(烷氧基的化性活潑且易水解或醇解)取代常規(guī)的六甲基二硅氮烷(HMDS)，涂布在基板上，利用烷氧基與水的水解縮合作用，在基板上生成大量的疏水基團(tuán)，達(dá)到有效吸附有機(jī)光阻的作用，且過(guò)程中產(chǎn)物為對(duì)應(yīng)的醇類，產(chǎn)物易回收利用；其次，由于烷氧基硅烷取代了常規(guī)的六甲基二硅氮烷(HMDS)，可進(jìn)一步降低在涂布光阻材料的前段制程的能耗，減少整個(gè)光阻制程的成本。

據(jù)此，依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種改善光阻附著力的方法，包括以下步驟：S10提供一玻璃基板；以及S20提供一烷氧基硅烷至所述玻璃基板，使所述烷氧基硅烷與所述玻璃玻璃基板進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，得到一表面帶有疏水基團(tuán)的玻璃基板以及一水解產(chǎn)物。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述烷氧基硅烷具有以下化學(xué)式1：

(R1)_n(R2)_mSi-(OR3)_y，

在化學(xué)式1中，R1、R2及R3各自獨(dú)立地為含碳數(shù)1-5之直鏈或支鏈烷基，

其中n為1至3的正整數(shù)；m為0至2的正整數(shù)；y為1至3的正整數(shù)；

且n+m+y＝4。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述烷氧基硅烷包括以下至少一者：三甲基甲氧基硅烷、叔丁基二甲基甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、及其組合。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述疏水基團(tuán)具有以下化學(xué)式2：

(R1)_n(R2)_mSi-O-，

在化學(xué)式2中，R1及R2各自獨(dú)立地為含碳數(shù)1-5之直鏈或支鏈烷基，

其中n為1至3的正整數(shù)；m為0至2的正整數(shù)；且n+m＝3。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述化學(xué)反應(yīng)的溫度為20℃-100℃。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述化學(xué)反應(yīng)的時(shí)間為10秒-100秒。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述的改善光阻附著力的方法更包括步驟S30收集所述水解產(chǎn)物。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述水解產(chǎn)物為一醇類。