[發明專利]包括雙極晶體管的集成電路

在審

• 申請號: 201910272414.2
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN110349953A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞茲;E·蘇謝爾;O·韋伯
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司;意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/8222;H01L27/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，包括：

雙極晶體管行，包括：

多個第一導電區域；

第二導電區域；

共用基極，位于所述第一導電區域和所述第二導電區域之間；

絕緣溝槽，與所述雙極晶體管行中的每個雙極晶體管接觸；

導電層，位于所述絕緣溝槽上，并且位于所述共用基極上，位于所述第一導電區域之間；以及

間隔件層，位于所述導電層和所述第一導電區域之間。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層包括多晶硅。

3.根據權利要求2所述的集成電路，還包括金屬層，所述金屬層位于所述導電層和所述共用基極之間。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層包括金屬。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其中所述金屬是鈦。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述雙極晶體管行中的每個雙極晶體管在使用中控制相變存儲器中的相應的存儲器單元。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層通過單個過孔連接到互連網絡。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述多個第一導電區域接觸所述基極，并且所述基極接觸所述第二導電區域。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述雙極晶體管行中的每個所述雙極晶體管均包括所述第二導電區域。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層的至少多個部分覆蓋有絕緣條帶和多晶硅條帶。

11.一種方法，包括：

形成雙極晶體管行，所述雙極晶體管行具有共用基極，所述共用基極位于多個第一導電區域和第二導電區域之間，所述第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離，絕緣溝槽與所述雙極晶體管行接觸；

在所述絕緣溝槽和所述絕緣體壁中形成腔，所述第一導電區域的側表面在所述腔中暴露；

在所述腔中形成間隔件層，所述間隔件層覆蓋所述第一導電區域的所暴露的側表面、以及所述絕緣溝槽在所述腔中的側表面；以及

用導電材料填充所述腔。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述腔包括形成刻蝕掩模，所述刻蝕掩模包括條帶，所述條帶在所述雙極晶體管行的方向上延伸，并且部分地在所述第一導電區域上、部分地在所述絕緣體壁上以及部分地在所述絕緣溝槽上延伸。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述導電材料是多晶硅。

14.根據權利要求11所述的方法，還包括：

在用所述導電材料填充所述腔之前，在所述腔中和在所述間隔件層上沉積金屬層。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述金屬層包括鈦。

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述導電材料包括金屬。