[發明專利]包括雙極晶體管的集成電路

在審

• 申請號: 201910272414.2
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN110349953A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞茲;E·蘇謝爾;O·韋伯
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司;意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/8222;H01L27/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及包括雙極晶體管的集成電路。本公開涉及包括一行或多行晶體管的集成電路和方法。在一個實施例中，集成電路包括雙極晶體管行，該雙極晶體管行包括多個第一導電區域、第二導電區域以及共用基極，共用基極位于第一導電區域和第二導電區域之間。絕緣溝槽與雙極晶體管行中的每個雙極晶體管接觸。導電層位于絕緣溝槽和共用基極上，位于第一導電區域之間。間隔件層位于導電層和第一導電區域之間。

技術領域

本公開涉及集成電路，并且更特別地涉及雙極晶體管的連接。本公開更特別地適用于形成存儲器單元的陣列。

背景技術

存儲器通常采用陣列的形式，陣列包括字線和列(或者位線)。包含二進制信息的存儲器單元位于字線和位線的每個交叉點處。

在相變存儲器中，每個存儲器單元包括相變材料層，其下部與電阻性元件接觸。相變材料是可以從結晶相轉變為無定型相(反之亦然)的材料。這種轉變是由電流傳導所通過的電阻性元件的溫度的升高導致的。材料的無定型相與其晶相之間的電阻差用于定義兩種存儲器狀態，例如0和1。

在相變存儲器的示例中，存儲器單元例如由雙極晶體管控制，雙極晶體管傳導或者不傳導用于加熱電阻性元件的電流。屬于同一位線的存儲器單元通過覆蓋相變材料的導體連接，并且屬于同一字線的存儲器單元通過雙極晶體管的基極(例如，通過同一字線的所有晶體管共用的基極)連接在一起。

例如，通過測量存儲器單元的位線和字線之間的電阻來訪問相變存儲器的存儲器單元的二進制信息。

發明內容

在一個實施例中，本公開提供了一種包括雙極晶體管行的集成電路。雙極晶體管行包括多個第一導電區域、第二導電區域以及共用基極，共用基極位于第一導電區域和第二區域之間。絕緣溝槽與晶體管行中的雙極晶體管中的每個雙極晶體管接觸。導電層位于絕緣溝槽和共用基極上，并且位于第一導電區域之間。間隔件層位于導電層和第一導電區域之間。

根據一個實施例，導電層包括多晶硅。

根據一個實施例，導電層通過金屬層與共用基極分離。

根據一個實施例，導電材料包括金屬。

根據一個實施例，每個晶體管控制相變存儲器的存儲器單元。

根據一個實施例，導電層通過單個過孔連接到互連網絡。

根據一個實施例，多個第一導電區域接觸基極，并且基極接觸第二導電區域。

根據一個實施例，行中的晶體管中的每個晶體管包括第二導電區域。

根據一個實施例，導電層的至少部分覆蓋有絕緣條帶和多晶硅條帶。

在另一實施例中，本公開提供一種方法，該方法包括：形成具有共用基極的雙極晶體管行，共用基極位于多個第一導電區域和第二導電區域之間，第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離，絕緣溝槽與晶體管行接觸；在絕緣溝槽和絕緣體壁中形成腔，第一導電區域的側表面在腔中暴露；在腔中形成間隔件層，間隔件層覆蓋第一導電區域的所暴露的側表面以及絕緣溝槽的在腔中的側表面；以及用導電材料填充腔。

根據一個實施例，形成腔包括形成刻蝕掩模，刻蝕掩模包括條帶，該條帶在晶體管行的方向上延伸并且部分地在第一導電區域之上、部分地在絕緣體的壁之上以及部分地在絕緣溝槽之上延伸。

根據一個實施例，導電材料是多晶硅。

根據一個實施例，在用導電材料填充腔之前，在腔中和間隔件層上沉積金屬層。

根據一個實施例，導電材料包括金屬。

根據一個實施例，金屬層是鈦。

在結合附圖對特定實施例的以下非限制性描述中將詳細討論前述和其他特征及優點。

附圖說明