[發明專利]一種晶體管的鰭柱的形成方法及晶體管

在審

• 申請號: 201910272034.9
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN111785632A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成鰭片；

在所述鰭片上植入鰭片填充物形成填充區；

移除所述鰭片上的所述填充區，以形成所述鰭柱；

所述鰭柱遠離所述襯底的一側形成有掩膜層，所述掩膜層包括第一掩膜層和/或第二掩膜層；在所述鰭片的長度延伸方向上，所述第一掩膜層至少橫跨同一個鰭片上相鄰的兩個鰭柱；在所述鰭片的寬度延伸方向上，所述第二掩膜層至少橫跨兩個相鄰鰭片上的鰭柱。

2.根據權利要求1所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，當所述掩膜層包括第一掩膜層和第二掩膜層時，所述第一掩膜層與所述鰭柱遠離所述襯底的一側接觸，所述第二掩膜層位于所述第一掩膜層遠離所述鰭柱的一側。

3.根據權利要求2所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成鰭片，包括：

在所述襯底上形成鰭部層；

在所述鰭部層上沉積所述第一掩膜層；

刻蝕所述鰭部層以形成所述鰭片。

4.根據權利要求2所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，所述在所述鰭片上植入鰭片填充物形成填充區之前，還包括：在所述鰭片兩側沉積鰭柱犧牲片。

5.根據權利要求4所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，在所述鰭片兩側沉積鰭柱犧牲片包括：

在所述鰭片周側沉積犧牲材料層；

在所述犧牲材料層上沉積第二掩膜層；

刻蝕所述犧牲材料層，去除所述犧牲材料層上所述第二掩膜層在所述犧牲材料層上的投影區域外的部分形成所述鰭柱犧牲片。

6.根據權利要求5所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，在形成所述晶體管的鰭柱后，還包括：移除所述鰭柱犧牲片。

7.根據權利要求5所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，植入鰭片填充物包括：通過所述鰭柱犧牲片的兩側向所述鰭片內植入所述鰭片填充物。

8.根據權利要求5所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，所述犧牲材料層的沉積方法為化學氣相沉積法；

所述沉積第二掩膜層之前，還包括：對所述犧牲材料層和所述第一掩膜層進行平坦化工藝。

9.根據權利要求1-8任一項所述的晶體管的鰭柱的形成方法，其特征在于，所述鰭片植入物為惰性離子。

10.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括襯底和鰭柱，所述鰭柱位于所述襯底一側，且在所述鰭柱遠離所述襯底的一側形成有掩膜層，所述掩膜層包括第一掩膜層和/或第二掩膜層；在所述鰭片的長度延伸方向上，所述第一掩膜層至少橫跨同一個鰭片上相鄰的兩個鰭柱；在所述鰭片的寬度延伸方向上，所述第二掩膜層至少橫跨兩個相鄰鰭片上的鰭柱；所述鰭柱基于權利要求1-9中任意一項晶體管的鰭柱的形成方法制備得到。