[發(fā)明專利]單橋線框去毛刺工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910271912.5 | 申請日: | 2019-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN110098127B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 錢淼;王世銘;吳建寶;盧凱鵬;謝楓 | 申請(專利權)人: | 蘇州超樊電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡擁軍;糜婧 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單橋線框去 毛刺 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種單橋線框去毛刺工藝,包括以下步驟:初步成型步驟:將待成型銅片通入模具中進行擠壓,得到預制產品;加熱步驟:將預制產品放到烤箱中加熱,得到預熱產品;冷處理步驟:將預熱產品放入冷箱中,得到預成型產品;酸洗處理:將預成型產品放入酸洗液中進行酸洗;去毛刺步驟:將酸洗后的產品進行去毛刺處理。通過冷熱交替處理,使將待成型銅片的毛刺部分變脆,再通過酸洗進行預處理,接著再去除毛刺,去除毛刺的效果好,殘留量少,且去除效率高。
技術領域
本發(fā)明涉及電子領域,尤其涉及一種單橋線框去毛刺工藝。
背景技術
目前,整流橋堆產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,外用絕緣朔料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強散熱。
橋堆是一種電子元件,內部由多個二極管組成。橋堆原理圖橋堆原理圖主要作用是整流,調整電流方向。用橋堆整流是比較好的,首先是很方便,而且它內部的四個管子一般是挑選配對的,所以其性能較接近,還有就是大功率的整流時,橋堆上都可以裝散熱塊簡化簡化,使工作時性能更穩(wěn)定,當然使用場合不同也要選擇不同的橋堆,不能只看耐壓是否夠,比如高頻特性等。
單列的橋堆在實際生產中也稱為單橋,單橋的線框在進行下一工序前,一般需要去毛刺,現(xiàn)有的去毛刺的工藝比較單一且去毛刺效果不好,影響了生產效率。
發(fā)明內容
為了克服現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明的目的之一在于提供一種單橋線框去毛刺工藝,其能解決生產效率低的問題。
本發(fā)明的目的之一采用如下技術方案實現(xiàn):
一種單橋線框去毛刺工藝,包括以下步驟:
初步成型步驟:將待成型銅片通入模具中進行擠壓,得到預制產品;加熱步驟:將預制產品放到烤箱中加熱,得到預熱產品;冷處理步驟:將預熱產品放入冷箱中,得到預成型產品;酸洗處理:將預成型產品放入酸洗液中進行酸洗;去毛刺步驟:將酸洗后的產品進行去毛刺處理。
進一步地,在所述加熱步驟中,加熱溫度設定為100℃-150℃。
進一步地,在所述冷處理步驟中,冷箱溫度設定為零下10℃-零下20℃。
進一步地,在所述去毛刺步驟中,去毛刺的工藝采用電解去毛刺工藝。
進一步地,在所述去毛刺步驟中,去毛刺的工藝采用超聲波去毛刺工藝。
進一步地,在所述超聲波去毛刺工藝中,超聲波沖擊頻率為2000次/秒~4000次/秒。
進一步地,在所述去毛刺步驟中,先通過電解去毛刺工藝進行初步處理,再通過超聲波去毛刺工藝進行處理。
進一步地,所述單橋線框去毛刺工藝還包括后處理步驟:將產品浸入RT防銅變色劑中10-20min,取出后噴涂銅抗氧化劑。
進一步地,在所述酸洗處理步驟中,所述酸洗液的配方為:雙氧水、穩(wěn)定劑、硫酸、緩蝕劑、水及次氯酸,且配比為,4:1:1:1:5:0.5。
進一步地,所述穩(wěn)定劑包括十二烷基硫酸鈉及OP乳化劑。
相比現(xiàn)有技術,本發(fā)明的有益效果在于:
將待成型銅片通入模具中進行擠壓,得到預制產品;將預制產品放到烤箱中加熱,得到預熱產品;將預熱產品放入冷箱中,得到預成型產品;將預成型產品放入酸洗液中進行酸洗;將酸洗后的產品進行去毛刺處理。通過冷熱交替處理,使將待成型銅片的毛刺部分變脆,再通過酸洗進行預處理,接著再去除毛刺,去除毛刺的效果好,殘留量少,且去除效率高。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





