[發明專利]單橋線框去毛刺工藝有效
| 申請號： | 201910271912.5 | 申請日： | 2019-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN110098127B | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 錢淼;王世銘;吳建寶;盧凱鵬;謝楓 | 申請（專利權）人： | 蘇州超樊電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡擁軍;糜婧 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單橋線框去 毛刺 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種單橋線框去毛刺工藝，其特征在于，包括以下步驟：
初步成型步驟：將待成型銅片通入模具中進行擠壓，得到預制產品；
加熱步驟：將預制產品放到烤箱中加熱，得到預熱產品；
冷處理步驟：將預熱產品放入冷箱中，得到預成型產品；
酸洗處理：將預成型產品放入酸洗液中進行酸洗，酸洗液的配方為：雙氧水、穩定劑、硫酸、緩蝕劑、水及次氯酸，且配比為，4：1：1：1：5：0.5，穩定劑包括十二烷基硫酸鈉及OP乳化劑；
去毛刺步驟：將酸洗后的產品進行去毛刺處理，先通過電解去毛刺工藝進行初步處理，再通過超聲波去毛刺工藝進行處理；
后處理步驟：將產品浸入RT防銅變色劑中10-20min，取出后噴涂銅抗氧化劑。
2.如權利要求1所述的單橋線框去毛刺工藝，其特征在于：在所述加熱步驟中，加熱溫度設定為100℃-150℃。
3.如權利要求1所述的單橋線框去毛刺工藝，其特征在于：在所述冷處理步驟中，冷箱溫度設定為零下10℃-零下20℃。
4.如權利要求1所述的單橋線框去毛刺工藝，其特征在于：在所述去毛刺步驟中，去毛刺的工藝采用電解去毛刺工藝。
5.如權利要求1所述的單橋線框去毛刺工藝，其特征在于：在所述去毛刺步驟中，去毛刺的工藝采用超聲波去毛刺工藝。
6.如權利要求5所述的單橋線框去毛刺工藝，其特征在于：在所述超聲波去毛刺工藝中，超聲波沖擊頻率為2000次/秒～4000次/秒。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州超樊電子有限公司，未經蘇州超樊電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910271912.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
