[發明專利]包括具有共用基極的晶體管的集成電路

在審

• 申請號: 201910271363.1
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN110349991A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: P·波伊文
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及包括具有共用基極的晶體管的集成電路。本公開涉及包括一行或多行晶體管的集成電路和形成晶體管行的方法。在一個實施例中，集成電路包括雙極晶體管的行，該雙極晶體管的行包括具有多個第一導電區域的第一半導體層、具有第二導電區域的第二半導體層、在第一半導體層和第二半導體層之間的共用基極、和在第一方向上延伸的多個絕緣體壁。第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離。集成電路還包括在第二方向上延伸并與該雙極晶體管的行中的每個雙極晶體管接觸的絕緣溝槽。導電層耦合到基極，并且導電層延伸穿過絕緣體壁并且至少部分地延伸到絕緣溝槽中。

技術領域

本公開涉及集成電路，并且更具體地涉及雙極晶體管的連接。本公開更具體地適用于形成存儲器單元的陣列。

背景技術

存儲器通常采用陣列的形式，包括字線和列(或位線)。包含二進制信息的存儲器單元位于字線和位線的每個交叉處。

在相變存儲器中，每個存儲器單元包括相變材料的層，其下部部分與電阻性元件接觸。相變材料是可以從結晶相轉變為非晶相(反之亦然)的材料。這種轉變是由傳導電流的電阻性元件的溫度的升高導致的。材料的非晶相與其結晶相之間的電阻差用于定義兩種存儲器狀態，例如0和1。

在相變存儲器的示例中，存儲器單元例如由雙極晶體管控制，雙極晶體管傳導或不傳導用于加熱電阻性元件的電流。屬于相同位線的存儲器單元通過覆蓋相變材料的導體連接，并且屬于相同字線的存儲器單元通過雙極晶體管的基極連接在一起，例如，通過相同字線的所有晶體管共用的基極。

例如，通過測量存儲器單元的位線和字線之間的電阻來訪問相變存儲器的存儲器單元的二進制信息。

發明內容

在一個實施例中，本公開提供了一種包括雙極晶體管的行的集成電路。雙極晶體管的行包括多個第一導電區域、第二導電區域、在第一導電區域和第二導電區域之間的共用基極，以及在第一方向上延伸的多個絕緣體壁。第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離。絕緣溝槽在第二方向上延伸并與雙極晶體管的行中的每個雙極晶體管接觸。導電層耦合到基極，并且導電層延伸穿過絕緣體壁并至少部分地延伸到絕緣溝槽中。

根據一個實施例，導電層包括至少部分地延伸到絕緣溝槽中的主導電條、和延伸穿過絕緣體壁并連接到主導電條的多個輔導電條。

根據一個實施例，導電條具有在從25nm至45nm的范圍內的寬度，該范圍包括端值。

根據一個實施例，每個雙極晶體管控制存儲器單元。

根據一個實施例，存儲器單元是相變存儲器的存儲器單元。

根據一個實施例，導電層通過單個過孔而連接到互連網絡。

根據一個實施例，導電層由金屬制成。

根據一個實施例，多個第一導電區域直接接觸基極，并且基極直接接觸第二導電區域。

根據一個實施例，雙極晶體管的行中的每個晶體管包括第二導電區域。

在另一實施例中，本公開提供了一種方法，方法包括：形成具有共用基極的雙極晶體管的行，共用基極位于多個第一導電區域和第二導電區域之間，第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離，絕緣溝槽與雙極晶體管的行接觸；在多個第一導電區域上形成掩模，掩模具有在絕緣溝槽和絕緣體壁之上的梳狀開口；通過蝕刻穿過開口并暴露共用基極的在相鄰的第一導電區域之間的部分來形成腔；以及用導電材料填充腔。

根據一個實施例，共用基極的暴露的部分比基極的相鄰區域更重地摻雜。

根據一個實施例，導電材料是金屬。

在下面結合附圖對特定實施例的非限制性描述中將詳細討論前述特征和其他特征及優點。

附圖說明

圖1是具有共用基極的雙極晶體管的簡化的橫截面圖；