[發明專利]包括具有共用基極的晶體管的集成電路

在審

• 申請號: 201910271363.1
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN110349991A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: P·波伊文
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，包括：

雙極晶體管的行，包括：

多個第一導電區域；

第二導電區域；

共用基極，在所述第一導電區域和所述第二導電區域之間；以及

多個絕緣體壁，在第一方向上延伸，所述第一導電區域通過所述絕緣體壁彼此分離；

絕緣溝槽，在第二方向上延伸、并且與所述雙極晶體管的行中的每個雙極晶體管接觸；以及

耦合到所述基極的導電層，所述導電層延伸穿過所述絕緣體壁、并且至少部分地延伸到所述絕緣溝槽中。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層包括至少部分地延伸到所述絕緣溝槽中的主導電條、以及延伸穿過所述絕緣體壁并連接到所述主導電條的多個輔導電條。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其中所述導電條具有在從25nm至45nm的范圍內的寬度，所述范圍包括端值。

4.根據權利要求1所述的集成電路，還包括多個存儲器單元，其中所述雙極晶體管的行中的每個雙極晶體管在使用中控制相應的存儲器單元。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其中所述存儲器單元是相變存儲器的存儲器單元。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層通過單個過孔而耦合到互連網絡。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層包括金屬。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述導電層包括多晶硅。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述多個第一導電區域直接接觸所述基極，并且所述基極直接接觸所述第二導電區域。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述雙極晶體管的行中的每個雙極晶體管包括所述第二導電區域。

11.一種方法，包括：

形成具有共用基極的雙極晶體管的行，所述共用基極位于多個第一導電區域和第二導電區域之間，所述第一導電區域通過絕緣體壁彼此分離，絕緣溝槽與所述雙極晶體管的行接觸；

在所述多個第一導電區域上形成掩模，所述掩模具有在所述絕緣溝槽和所述絕緣體壁之上的梳狀開口；

通過蝕刻穿過所述開口、并暴露所述共用基極的在相鄰的第一導電區域之間的部分來形成腔；以及

用導電材料來填充所述腔。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述雙極晶體管的行包括：

形成具有第一摻雜劑類型的所述第二導電區域；

形成具有與所述第一摻雜劑類型相反的第二摻雜劑類型的所述共用基極；

形成具有所述第一摻雜劑類型的所述多個第一導電區域；

形成所述第一導電區域之間的所述絕緣體壁；以及

形成與所述雙極晶體管的行接觸的所述絕緣溝槽。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

通過用所述第二摻雜劑類型摻雜所述共用基極的所暴露的部分，形成所述共用基極中的重摻雜區域，所述共用基極的所述重摻雜區域具有比所述共用基極的與所述重摻雜區域相鄰的區域高濃度的所述第二摻雜劑類型。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述導電材料是金屬。

15.根據權利要求11所述的方法，其中：

形成所述掩模包括：在所述多個第一導電區域上沉積所述掩模，并且

形成所述腔包括：至少部分地蝕刻到所述絕緣溝槽中。