[發明專利]一種蝕刻設備

有效

• 申請號: 201910270599.3
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN110106504B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 劉三泓
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23F1/08
• 分類號: C23F1/08;C23F1/02
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種蝕刻設備，包括載物臺與兩個以上噴淋單元，載物臺用以放置基板；噴淋單元設于所述載物臺上方，用以向所述基板噴淋刻蝕液；每一噴淋單元包括第一噴嘴與第二噴嘴，第一噴嘴朝向所述基板方向，第一噴嘴中心軸線與豎直方向形成第一夾角；以及第二噴嘴朝向所述基板方向，第二噴嘴中心軸線與豎直方向形成第二夾角。通過調節噴淋單元中的每一噴嘴的方向，使得金屬層側壁下部的腐蝕程度更深，從而調節面板成品中taper角的角度，使得taper角的角度不會過小，進而提高面板的良率。

技術領域

本發明涉及基板蝕刻技術領域，尤其涉及一種蝕刻設備。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是目前常見的液晶顯示器產品，在其生產過程中，濕法蝕刻工藝是極其重要的一個環節。

濕法蝕刻是利用混合酸液對玻璃表面的掩膜層未覆蓋的金屬層進行側向蝕刻，由于蝕刻設備是采用濕法蝕刻的方式對基板進行蝕刻，當基板在蝕刻設備內進行蝕刻時，蝕刻液噴灑在基板上方后，從掩膜層的通孔及邊緣處流下，接觸并腐蝕金屬層。在蝕刻過程中，掩膜層的通孔內存留有蝕刻液，掩膜層的通孔對應的金屬層被腐蝕，通孔邊緣處的金屬層側壁被腐蝕。由于金屬層側壁上部與蝕刻液直接接觸時間較長，且上層蝕刻液濃度較大，因此金屬層側壁上部的腐蝕程度比下部要更嚴重，從而形成taper角(刻蝕后金屬層側壁與掩膜層下表面的夾角)。在后續工藝中，taper角內會被填充其他材質，如果taper角的角度過小，會有部分空間無法被填充滿，從而影響顯示效果，因此，在蝕刻過程中，taper角的角度應優選30～70度。

如圖1～3所示，現有技術中，蝕刻設備中的載物臺1上放置基板2，噴淋單元3為了對基板2進行蝕刻處理。噴淋單元3中的噴嘴的方向垂直于基板2表面，蝕刻液的行進速度V0與基板2表面垂直。在蝕刻過程中，蝕刻液噴灑在基板上方后，掩膜層的通孔內存留有蝕刻液，掩膜層的通孔對應的金屬層被腐蝕，通孔邊緣處的金屬層側壁也被腐蝕。由于金屬層4側壁上部與蝕刻液直接接觸時間較長，且上層蝕刻液濃度較大，因此金屬層側壁上部的腐蝕程度比下部要更嚴重，從而形成taper角(刻蝕后金屬層側壁與掩膜層下表面的夾角)，參見圖3，所述taper角為25～30度。

由于蝕刻設備無法控制噴嘴的方向，噴嘴的噴淋角度無法進行調整，在加工過程中無法實現對taper角的調整，從而導致面板成品中taper角過小的次品面板數量較多，產品良率較低。玻璃基板的尺寸越大，由此導致的面板良率越低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種蝕刻設備，以解決現有技術中蝕刻設備存在的taper角過小、面板良率過低的技術問題。

本發明提供一種蝕刻設備，包括載物臺以及兩個以上噴淋單元，所述載物臺用以放置基板，所述噴淋單元設于所述載物臺上方，用以向所述基板噴淋刻蝕液；每一噴淋單元包括第一噴嘴與第二噴嘴，所述第一噴嘴朝向所述基板方向，所述第一噴嘴中心軸線與豎直方向形成第一夾角；所述第二噴嘴朝向所述基板方向，所述第二噴嘴中心軸線與豎直方向形成第二夾角。

進一步地，所述第一夾角、所述第二夾角的角度是可調整的。

進一步地，所述第一夾角與所述第二夾角均為30°～60°。

進一步地，所述第二夾角等于所述第一夾角。

進一步地，所述兩個以上噴淋單元均勻分布于所述載物臺上方。

進一步地，所述兩個以上噴淋單元排列為矩陣。

進一步地，所述噴淋單元中噴淋液的噴淋流量和噴淋壓力是可調節的。

進一步地，所述的一種蝕刻設備還包括金屬層與掩膜層，所述金屬層覆于所述基板一側的表面；所述掩膜層覆于所述金屬層遠離所述基板一側的表面；

所述噴淋單元對所述金屬層進行蝕刻處理。