[發明專利]一種半導體器件的形成方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201910267999.9
• 申請日: 2019-04-03
• 公開（公告）號: CN111785687A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 張煥云;吳健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底的一側形成第一區域和第二區域，所述第一區域和第二區域內沉積有具有柵極溝槽的中間層；

在所述中間層遠離所述襯底的一側及所述柵極溝槽的內壁上沉積柵極氧化層；

在所述第二區域的所述柵極氧化層遠離所述襯底的一側沉積層間隔離層；

進行摻氮處理；

去除所述第二區域的所述層間隔離層和所述柵極氧化層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一區域為外圍電路區，所述第二區域為核心器件區。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，沉積具有所述柵極溝槽的所述中間層，包括：

在所述襯底的一側沉積柵極介質層；

在所述柵極介質層的周側沉積薄膜層；

在所述薄膜層的周側沉積淺溝槽隔離層；

移除所述柵極介質層形成所述具有所述柵極溝槽的所述中間層；或，

在所述襯底的一側沉積柵極介質層；

在所述柵極介質層周側沉積犧牲材料層；

在所述犧牲材料層的周側沉積薄膜層；

在所述薄膜層的周側沉積淺溝槽隔離層。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述第二區域的所述柵極氧化層遠離所述襯底的一側沉積層間隔離層的同時，還包括：

在所述第一區域的所述柵極氧化層遠離所述襯底的一側沉積所述層間隔離層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述進行摻氮處理前，還包括：

在所述第二區域的所述層間隔離層遠離所述襯底的一側沉積光刻膠；

去除所述第一區域的所述層間隔離層。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述進行摻氮處理之前，還包括：

去除所述第二區域的所述層間隔離層遠離所述襯底一側的所述光刻膠；

且所述摻氮處理包括：

對所述第一區域的所述柵極氧化層進行所述摻氮處理，以及對所述第二區域的所述層間隔離層進行所述摻氮處理；

在所述進行摻氮處理時，還包括：進行退火。

7.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述柵極溝槽靠近所述襯底的一側還沉積有襯墊氧化層；

在所述去除所述第二區域的所述層間隔離層和所述柵極氧化層時，還包括：去除所述襯底一側的所述襯墊氧化層。

8.根據權利要求1或2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述進行摻氮處理之后，還包括：

在所述第一區域的所述柵極氧化層遠離所述襯底的一側沉積防刻蝕層。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述襯底的材料為多晶硅，所述層間隔離層的材料為氮化硅；

所述沉積襯墊氧化層的方法為原子層沉積法。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件基于權利要求1-9之一所述的半導體器件的形成方法形成。