[發明專利]一種硅透鏡陣列設計方法在審
| 申請號: | 201910265891.6 | 申請日: | 2019-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN110221364A | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 胡衛東;劉侃;夏全 | 申請(專利權)人: | 合肥嘉東光學股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B3/00 | 分類號: | G02B3/00;G03F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅透鏡 透鏡 硅陣列 光學元件 陣列設計 裝配難度 球冠形 光致抗蝕劑掩膜 離子束刻蝕 一體化設計 平行光線 轉折棱鏡 出光面 光學面 全反射 凸球面 硅片 偏折 融熔 射出 | ||
本發明公開了硅透鏡陣列設計方法,本發明為了解決現有技術中成本高和裝配難度大的缺點,具有以下步驟:S1,選擇合適的硅陣列透鏡,S2,將S1中硅陣列透鏡原出光面磨成45°斜面,S3,根據上述S2設置有PD側,S4,根據上述S2設置有平行光線側,S5,根據上述S2設置有鏡側,S6,完成上述S1?S5步驟后,光線在此45度斜面發生全反射后偏折45°射出,硅陣列透鏡采用融熔法制備球冠形的光致抗蝕劑掩膜,用離子束刻蝕實現球冠形向硅片上轉移,各硅透鏡間距為0.25~0.75mm,硅透鏡外徑為0.2~0.7mm,硅透鏡光學面為凸球面,曲率半徑為3.5~3.7mm。本發明采用硅陣列透鏡與45°轉折棱鏡一體化設計,一個光學元件完成兩個光學元件的功能,具有降低成本和降低裝配難度的效果。
技術領域
本發明涉及光學設備技術領域,尤其涉及一種硅透鏡陣列設計方法。
背景技術
光學是物理學的重要分支學科,也是與光學工程技術相關的學科。狹義來說,光學是關于光和視見的科學,而今天常說的光學是廣義的,是研究從微波、紅外線、可見光、紫外線直到X射線和γ射線的寬廣波段范圍內的電磁輻射的產生、傳播、接收和顯示,以及與物質相互作用的科學,著重研究的范圍是從紅外到紫外波段,它是物理學的一個重要組成部分,光學是研究光的行為和性質的物理學科,光是一種電磁波,在物理學中,電磁波由電動力學中的麥克斯韋方程組來描述,同時,光具有波粒二象性,光的粒子性則需要用量子力學來描述。
目前應用于光模塊中的硅陣列透鏡需要再配合一個45°轉折棱鏡實現光線傳輸方向的偏轉,但這樣會造成以下問題:其一,增加成本;其二,由于要保證硅陣列透鏡與45°轉折棱鏡之間的平行度,裝配難度增大。
發明內容
本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種硅透鏡陣列設計方法。
為了實現上述目的,本發明采用了如下技術方案:
一種硅透鏡陣列設計方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,選擇合適的硅陣列透鏡。
S2,將S1中硅陣列透鏡原出光面磨成45°斜面。
S3,根據上述S2設置有PD側。
S4,根據上述S2設置有平行光線側。
S5,根據上述S2設置有鏡側。
S6,完成上述S1-S5步驟后,光線在此所述45度斜面發生全反射后偏折45°射出。
所述硅陣列透鏡采用融熔法制備球冠形的光致抗蝕劑掩膜,用離子束刻蝕實現球冠形向硅片上轉移,有效地在較低襯底溫度下(低于 200℃)制備出了硅微透鏡陣列,通過掃描電子顯微鏡(SEM) 和表面探針實驗證實了微透鏡為球冠形。
各所述硅透鏡間距為0.25~0.75mm。
所述硅透鏡外徑為0.2~0.7m。
所述硅透鏡光學面為凸球面。
所述曲率半徑為3.5~3.7mm。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:
本發明采用硅陣列透鏡與45°轉折棱鏡一體化設計,即用一個光學元件完成兩個光學元件的功能,具有較強的降低成本的目的。
本發明通過硅陣列透鏡與45°轉折棱鏡一體化設計,在實際的裝配中避免了光模塊中的硅陣列透鏡需要再配合一個45°轉折棱鏡實現光線傳輸方向的偏轉的缺點,具有實際降低裝配難度的效果。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖。
圖2為本發明的結構示意圖。
具體實施方式
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