[發明專利]一種硅透鏡陣列設計方法在審
| 申請號： | 201910265891.6 | 申請日： | 2019-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN110221364A | 公開（公告）日： | 2019-09-10 |
| 發明（設計）人： | 胡衛東;劉侃;夏全 | 申請（專利權）人： | 合肥嘉東光學股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B3/00 | 分類號： | G02B3/00;G03F1/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅透鏡 透鏡 硅陣列 光學元件 陣列設計 裝配難度 球冠形 光致抗蝕劑掩膜 離子束刻蝕 一體化設計 平行光線 轉折棱鏡 出光面 光學面 全反射 凸球面 硅片 偏折 融熔 射出 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，選擇合適的硅陣列透鏡。
S2，將S1中硅陣列透鏡原出光面磨成45°斜面。
S3，根據上述S2設置有PD側。
S4，根據上述S2設置有平行光線側。
S5，根據上述S2設置有鏡側。
S6，完成上述S1-S5步驟后，光線在此所述45度斜面發生全反射后偏折45°射出。
2.根據權利要求1所述的一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，所述硅陣列透鏡采用融熔法制備球冠形的光致抗蝕劑掩膜，用離子束刻蝕實現球冠形向硅片上轉移，有效地在較低襯底溫度下(低于200℃)制備出了硅微透鏡陣列，通過掃描電子顯微鏡(SEM)和表面探針實驗證實了微透鏡為球冠形。
3.根據權利要求1所述的一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，各所述硅透鏡間距為0.25～0.75mm。
4.根據權利要求1所述的一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，所述硅透鏡外徑為0.2～0.7m。
5.根據權利要求1所述的一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，所述硅透鏡光學面為凸球面。
6.根據權利要求1所述的一種硅透鏡陣列設計方法，其特征在于，所述曲率半徑為3.5～3.7mm。
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