[發明專利]一種溫度測量裝置及測量方法

在審

• 申請號: 201910261701.3
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN109855750A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 劉召軍;劉弈镈;張珂;閆思吳
• 申請（專利權）人: 深圳市思坦科技有限公司
• 主分類號: G01K7/01
• 分類號: G01K7/01
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種溫度測量裝置，其特征在于，包括恒流電路、Micro-LED以及電壓檢測電路；

所述恒流電路與所述Micro-LED電連接，用于向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流，其中，所述第一電流小于所述Micro-LED發光時的電流閾值；

所述電壓檢測電路與所述Micro-LED電連接，用于測量所述Micro-LED的兩個電極之間的電壓，并輸出檢測溫度。

2.根據權利要求1所述的溫度測量裝置，其特征在于，所述電壓檢測電路包括電壓放大子電路與電壓檢測子電路，所述電壓放大子電路與所述Micro-LED電連接，用于放大所述Micro-LED的兩個電極輸出的電壓；

所述電壓檢測子電路與所述電壓放大子電路電連接，用于測量所述電壓放大子電路輸出電壓，并輸出檢測溫度。

3.根據權利要求1所述的溫度測量裝置，其特征在于，包括多個Micro-LED串聯。

4.根據權利要求3所述的溫度測量裝置，其特征在于，多個所述Micro-LED以陣列形狀排列。

5.根據權利要求3所述的溫度測量裝置，其特征在于，所述恒流電路還用于向多個所述Micro-LED輸入恒定的第二電流，以使多個所述Micro-LED發光。

6.根據權利要求1所述的溫度測量裝置，其特征在于，所述Micro-LED包括：

襯底；

設置于所述襯底，并沿遠離所述襯底方向依次層疊設置的n型層、有源層、p型層以及設置于所述n型層上的n型電極和設置于所述p型層上的p型電極。

7.根據權利要求6所述的溫度測量裝置，其特征在于，所述Micro-LED的p型層和n型層包括氮化鎵基材料或砷化鎵基材料；

所述有源層包括多個量子阱周期結構，每個所述量子阱周期結構包括層疊設置的氮化鎵層與銦鎵氮層。

8.一種溫度測量方法，其特征在于，通過權利要求1～7任一所述的溫度測量裝置執行，該溫度測量方法包括：

所述恒流電路向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流；

所述電壓檢測電路檢測所述Micro-LED的兩個電極之間的電壓；

所述電壓檢測電路根據所述電壓，輸出檢測溫度；

其中，所述第一電流小于所述Micro-LED發光時的電流閾值。

9.根據權利要求8所述的溫度測量方法，其特征在于，在所述恒流電路向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流之前，還包括：

在預設溫度范圍內，標定所述Micro-LED的兩個電極之間的電壓與溫度的對應曲線。

10.根據權利要求8所述的溫度測量方法，其特征在于，還包括：

所述恒流電路向所述Micro-LED輸入恒定的第二電流，以使所述Micro-LED發光。