[發明專利]一種溫度測量裝置及測量方法在審
| 申請號: | 201910261701.3 | 申請日: | 2019-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN109855750A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 劉召軍;劉弈镈;張珂;閆思吳 | 申請(專利權)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分類號: | G01K7/01 | 分類號: | G01K7/01 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區大浪街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度測量裝置 電壓檢測電路 恒流電路 溫度測量 測量 電連接 輸出檢測 電極 恒定的 | ||
本發明實施例公開了一種溫度測量裝置及測量方法。其中溫度測量裝置包括恒流電路、Micro?LED以及電壓檢測電路;恒流電路與Micro?LED電連接,用于向Micro?LED輸入恒定的第一電流,其中,第一電流小于Micro?LED發光時的電流閾值;電壓檢測電路與Micro?LED電連接,用于測量Micro?LED的兩個電極之間的電壓,并輸出檢測溫度。本發明實施例的技術方案,解決溫度測量的問題,實現快速高精度的溫度測量。
技術領域
本發明實施例涉及溫度測量技術,尤其涉及一種溫度測量裝置及測量方法。
背景技術
在科學研究或工程應用中測量的大多數變量在不同程度上取決于溫度這一最常見以及最重要的物理量之一,因此,對于溫度的傳感也顯得尤為重要。
現有的二極管溫度傳感器多為硅基二極管,具體工藝為體硅(bulk silicon)工藝和SOI(Silicon on Insulator,即硅晶體管結構在絕緣體之上)工藝兩種,體硅工藝的溫度傳感區間為-55℃~150℃,SOI工藝的溫度傳感區間為-55℃~200℃,在此區間外則表現出很差的傳感準確性。
發明內容
本發明實施例提供一種溫度測量裝置及測量方法,以實現快速高精度溫度測量。
第一方面,本發明實施例提供一種溫度測量裝置,包括恒流電路、Micro-LED以及電壓檢測電路;
所述恒流電路與所述Micro-LED電連接,用于向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流,其中,所述第一電流小于所述Micro-LED發光時的電流閾值;
所述電壓檢測電路與所述Micro-LED電連接,用于測量所述Micro-LED的兩個電極之間的電壓,并輸出檢測溫度。
可選的,所述電壓檢測電路包括電壓放大子電路與電壓檢測子電路,所述電壓放大子電路與所述Micro-LED電連接,用于放大所述Micro-LED的兩個電極輸出的電壓;
所述電壓檢測子電路與所述電壓放大子電路電連接,用于測量所述電壓放大子電路輸出電壓,并輸出檢測溫度。
可選的,包括多個Micro-LED串聯。
可選的,多個所述Micro-LED以陣列形狀排列。
可選的,所述恒流電路還用于向多個所述Micro-LED輸入恒定的第二電流,以使多個所述Micro-LED發光。
可選的,所述Micro-LED包括:
襯底;
設置于所述襯底,并沿遠離所述襯底方向依次層疊設置的n型層、有源層、p型層以及設置于所述n型層上的n型電極和設置于所述p型層上的p型電極。
可選的,所述Micro-LED的p型層和n型層包括氮化鎵基材料或砷化鎵基材料;
所述有源層包括多個量子阱周期結構,每個所述量子阱周期結構包括層疊設置的氮化鎵層與銦鎵氮層。
第二方面,本發明實施例還提供一種溫度測量方法,通過上述的溫度測量裝置執行,該溫度測量方法包括:
所述恒流電路向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流;
所述電壓檢測電路檢測所述Micro-LED的兩個電極之間的電壓;
所述電壓檢測電路根據所述電壓,輸出檢測溫度;
其中,所述第一電流小于所述Micro-LED發光時的電流閾值。
可選的,在所述恒流電路向所述Micro-LED輸入恒定的第一電流之前,還包括:
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