[發明專利]處理基板的裝置和方法

有效

• 申請號: 201910257962.8
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN110349824B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 金提鎬
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明構思涉及一種用于處理基板的裝置。在實施方案中，該裝置包括：內部具有處理空間的工藝腔室、所述處理空間中支承所述基板的支承單元、將工藝氣體供應到所述處理空間中的氣體供應單元、以及從所述工藝氣體中產生等離子體的等離子體源。所述支承單元包括在其上放置有所述基板的支承件、圍繞放置在所述支承件上的所述基板的邊緣環、設置在所述邊緣環下方的阻抗調節構件、以及可變地調節所述阻抗調節構件的溫度的溫度調節構件。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年4月2日提交韓國工業產權局、申請號為10-2018-0038142的韓國專利申請的優先權和權益，其全部內容通過引用結合在本申請中。

背景技術

本文中描述的本發明構思的實施方案涉及一種用于處理基板的裝置，更具體地，涉及一種使用等離子體處理基板的裝置。

等離子體可用于處理基板。例如，等離子體可用于蝕刻、沉積或干洗工藝。通過加熱或使中性氣體經受強電場或射頻(radio frequency,RF)電磁場來產生等離子體，并且等離子體是指含有離子、電子和自由基的物質的電離氣態。通過允許等離子體中含有的離子或自由基粒子與基板碰撞來執行使用等離子體的干洗、灰化、或蝕刻工藝。

使用等離子體的基板處理裝置可包括腔室、基板支承單元、和等離子體源?；逯С袉卧砂ㄔO置成圍繞基板的邊緣環。邊緣環可被等離子體磨損。磨損的邊緣環可導致入射在基板上的等離子體的不均勻分布。不均勻的等離子體分布可產生無法均勻處理基板的結果。

發明內容

本發明構思的實施方案提供了一種用于在使用等離子體處理基板時提高處理效率的基板處理裝置和方法。

本發明構思的實施方案提供了一種用于均勻地控制入射在基板上的等離子體的分布的基板處理裝置。

根據示例性實施方案，用于處理基板的裝置包括內部具有處理空間的工藝腔室、在所述處理空間中支承所述基板的支承單元、將工藝氣體供應到所述處理空間的氣體供應單元、以及從所述工藝氣體中產生等離子體的等離子體源。所述支承單元包括：其上放置有所述基板的支承件、圍繞放置在所述支承件上的所述基板的邊緣環、設置在所述邊緣環下方的阻抗調節構件、以及可變地調節所述阻抗調節構件的溫度的溫度調節構件。

所述阻抗調節構件可由介電常數根據溫度變化的材料制成。

所述裝置還可包括控制所述溫度調節構件的控制器。所述控制器可控制所述溫度調節構件，以隨著所述邊緣環的腐蝕量增加，改變所述阻抗調節構件的介電常數。

所述控制器可控制所述溫度調節構件，以隨著所述邊緣環的腐蝕量增加，增加所述阻抗調節構件的介電常數。

所述裝置還可包括測量所述邊緣環的腐蝕量的腐蝕測量構件。所述控制器可接收由所述腐蝕測量構件測量的腐蝕量。

所述阻抗調節構件可由含有氧化鎂的介電物質形成。

所述介電物質可含有10wt％至50wt％的氧化鎂。

所述裝置還可包括控制所述溫度調節構件的控制器。所述控制器可基于所述邊緣環的腐蝕量來控制所述溫度調節構件的溫度。

所述阻抗調節構件可在第一溫度下具有最高的介電常數、在低于所述第一溫度的范圍內具有隨溫度升高而增加的介電常數、以及在高于所述第一溫度的范圍內具有隨溫度升高而降低的介電常數。當所述邊緣環的腐蝕量增加時，所述控制器可控制所述溫度調節構件，在低于所述第一溫度的范圍內升高所述阻抗調節構件的溫度，并在高于所述第一溫度的范圍內降低所述阻抗調節構件的溫度。

所述阻抗調節構件可具有環形形狀，其具有對應于所述邊緣環的下部的形狀的上表面。