[發明專利]處理基板的裝置和方法

有效

• 申請號: 201910257962.8
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN110349824B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 金提鎬
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括：

工藝腔室，其內部具有處理空間；

支承單元，其配置為在所述處理空間中支承所述基板；

氣體供應單元，其配置為將工藝氣體供應到所述處理空間中；以及

等離子體源，其配置為從所述工藝氣體中產生等離子體，

其中，所述支承單元包括：

支承件，在其上放置有所述基板；

邊緣環，其配置為圍繞放置在所述支承件上的所述基板；

阻抗調節構件，其設置在所述邊緣環下方；以及

溫度調節構件，其配置為可變地調節所述阻抗調節構件的溫度；

其中，所述阻抗調節構件由介電常數根據溫度變化的材料制成；

所述裝置還包括：

控制器，其配置為控制所述溫度調節構件，

其中，所述控制器控制所述溫度調節構件，以隨著所述邊緣環的腐蝕量增加，改變所述阻抗調節構件的介電常數。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述控制器控制所述溫度調節構件，以隨著所述邊緣環的腐蝕量增加，增加所述阻抗調節構件的介電常數。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述裝置還包括腐蝕測量構件，其配置成測量所述邊緣環的腐蝕量；且

其中，所述控制器接收由所述腐蝕測量構件測量的腐蝕量。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的裝置，其中，所述阻抗調節構件由含有氧化鎂的介電物質形成。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述介電物質含有10wt％至50wt％的氧化鎂。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述控制器基于所述邊緣環的腐蝕量來控制所述溫度調節構件的溫度。

7.根據權利要求1至3和6中任一項所述的裝置，其中，所述阻抗調節構件在第一溫度下具有最高的介電常數、在低于所述第一溫度的范圍內具有隨溫度升高而增加的介電常數、以及在高于所述第一溫度的范圍內具有隨溫度升高而降低的介電常數，且

其中，當所述邊緣環的腐蝕量增加時，所述控制器控制所述溫度調節構件，在低于所述第一溫度的范圍內升高所述阻抗調節構件的溫度，并在高于所述第一溫度的范圍內降低所述阻抗調節構件的溫度。

8.根據權利要求1至3和6中任一項所述的裝置，其中，所述阻抗調節構件具有環形形狀，其具有對應于所述邊緣環的下部的形狀的上表面。

9.一種用于處理基板的方法，所述方法包括：

通過將等離子體供應到放置在支承件上的所述基板上來處理所述基板；和

通過溫度調節構件來調節放置在邊緣環下方的阻抗調節構件的溫度，從而調節所述阻抗調節構件的介電常數來控制所述邊緣環上方的等離子體密度，所述邊緣環配置成圍繞放置在所述支承件上的所述基板的側面。

10.根據權利要求9所述的方法，其還包括：

基于所述邊緣環的腐蝕量，可變地調節所述阻抗調節構件的介電常數。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述阻抗調節構件由含有氧化鎂的介電物質形成。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述介電物質含有10wt％至50wt％的氧化鎂。

13.根據權利要求9所述的方法，其還包括：

隨著所述邊緣環的腐蝕量增加，控制溫度以增加所述阻抗調節構件的介電常數。