[發(fā)明專利]一種具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910252857.5
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN111755949B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳康;王金翠;蘇建;任夫洋;殷方軍
• 申請（專利權(quán)）人: 濰坊華光光電子有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/34
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219
• 代理人: 王楠

1.一種具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，激光器包括外延片，外延片包括自下至上依次設(shè)置的襯底、N限制層、下波導(dǎo)層、量子阱有源區(qū)、上波導(dǎo)層、P限制層和歐姆接觸層，其特征在于，制備包括步驟如下：

步驟(1)、在外延片的上表面腐蝕出脊型結(jié)構(gòu)，所述的脊型結(jié)構(gòu)以外的區(qū)域均腐蝕到上波導(dǎo)層，脊型結(jié)構(gòu)保留至歐姆接觸層；所述的脊型結(jié)構(gòu)位于外延片的中心位置，或者所述的脊型結(jié)構(gòu)位于偏向外延片的一邊；

步驟(2)、將脊型結(jié)構(gòu)分為脊型發(fā)光區(qū)域和窗口區(qū)，窗口區(qū)位于脊型發(fā)光區(qū)域的兩端，通過光刻、腐蝕將窗口區(qū)的脊型結(jié)構(gòu)上面的歐姆接觸層腐蝕掉，保留窗口區(qū)脊型結(jié)構(gòu)的P限制層；

步驟(3)、在窗口區(qū)兩側(cè)的脊型結(jié)構(gòu)以外腐蝕到上波導(dǎo)層的區(qū)域，利用光刻、腐蝕制備出規(guī)則排列的圖形；圖形為任意形狀、在波導(dǎo)層上面形成高度差的圖形；

步驟(4)、利用PECVD進(jìn)行鍍膜；利用光刻工藝在脊型結(jié)構(gòu)上方制備電流注入窗口；

步驟(5)、將制備好的樣品再經(jīng)過沉積電極、減薄、合金、封裝工步形成激光器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的脊型結(jié)構(gòu)貫穿外延片的整個腔長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，圖形包括平面幾何圖形中的任意一種，平面幾何圖形包括圓形、橢圓形、扇形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、多邊形、弓形、多弧形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，步驟(3)中的圖形的深度不超過上波導(dǎo)層厚度的1/2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，步驟(4)中所鍍的膜為SiO₂介質(zhì)膜，SiO₂介質(zhì)膜的厚度為800?-2000?。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有非對稱注入窗口的脊型GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，步驟(4)中SiO₂介質(zhì)膜的厚度為1500?-2000?。