[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910252214.0
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109935595A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 肖莉紅;周玉婷;李思晢;湯召輝;許健
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗;王寶筠

1.一種3D NAND存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底上由柵極層和柵極間介電層交替層疊的堆疊層，所述堆疊層包括核心存儲區以及臺階區，所述第一軸為所述襯底表面所在平面內沿所述核心存儲區延伸的軸；

所述核心存儲區中的溝道孔，所述溝道孔中形成有存儲單元串；

所述臺階區的分區臺階，沿第一軸方向所述分區臺階中臺階的長度呈漸進變化。

2.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，沿第一軸方向所述分區臺階中臺階的長度呈漸進變化為：沿第一軸方向所述分區臺階中各臺階的長度逐級呈漸進變化。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，沿第一軸方向所述分區臺階劃分為多個區域，每個區域中的臺階具有基本相同的長度，沿第一軸方向所述分區臺階中臺階的長度呈漸進變化為：沿第一軸方向所述分區臺階中各區域間臺階的長度呈漸進變化。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其特征在于，所述多個區域分別為頂部區域、中部區域和底部區域。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述漸進變化為從頂層臺階至底層臺階長度依次遞增。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述漸進變化為從頂層臺階至底層臺階長度依次遞減。

7.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述分區臺階包括的n個分區，第1分區位于中心，第2分區至第n分區沿第二軸的兩個方向依次排布，且沿所述第一軸朝向所述核心存儲區方向，各分區的臺階依次遞增n級，沿所述第二軸的兩個方向，每一層的臺階從第n分區至第1分區依次遞增1級，n為大于1的自然數，所述第二軸為所述襯底表面所在平面內與所述第一軸正交的軸。

8.根據權利要求1所述的存儲器件，還包括：所述分區臺階的臺階上的接觸結構。

9.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有堆疊層，所述堆疊層包括核心存儲區以及臺階區；

在所述臺階區形成分區臺階，沿第一軸方向所述分區臺階中臺階的長度呈漸進變化，所述第一軸為所述襯底表面所在平面內沿所述核心存儲區延伸的軸；

在所述核心存儲區中形成存儲單元串。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述分區臺階包括的n個分區，第1分區位于中心，第2分區至第n分區沿第二軸的兩個方向依次排布，且沿所述第一軸朝向所述核心存儲區方向，各分區的臺階依次遞增n級，沿所述第二軸的兩個方向，每一層的臺階從第n分區至第1分區依次遞增1級，n為大于1的自然數，所述第二軸為所述襯底表面所在平面內與所述第一軸正交的軸。