[發明專利]用于檢查的具有電可控制孔徑的傳感器及計量系統有效
| 申請號: | 201910251964.6 | 申請日: | 2016-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN110062180B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 勇-霍·亞歷克斯·莊;約翰·費爾登;戴維·L·布朗;張璟璟;凱斯·里昂;馬克·士·王 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/3722 | 分類號: | H04N5/3722;G01N21/956 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 劉麗楠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢查 具有 控制 孔徑 傳感器 計量 系統 | ||
本申請涉及用于檢查的具有電可控制孔徑的傳感器及計量系統。通過將更負控制電壓施加到像素的電阻式控制柵極的中心區域及將更正控制電壓施加到該柵極的端部分實現線性傳感器中的像素孔徑大小調整。這些控制電壓引起該電阻式控制柵極產生電場,該電場將在像素的光敏區域的選定部分中產生的光電子驅動到電荷積累區域中以用于后續測量,且驅動在像素的光敏區域的其它部分中產生的光電子遠離該電荷積累區域以用于后續舍棄或同時讀出。系統利用光學器件以將以不同角度或在不同位置接收的光從樣本引導到每一像素的光敏區域的對應不同部分中。多個孔徑控制電極經選擇性地致動以收集/測量從窄或寬角度或者位置范圍接收的光,借此實現快速圖像數據調整。
本申請是申請日為2016年05月13日,申請號為“201680025778.5”,而發明名稱為“用于檢查的具有電可控制孔徑的傳感器及計量系統”的發明專利申請的分案申請。
本申請案要求2015年5月14日申請的第62/161,450號美國臨時申請案及2015年6月8日申請的第62/172,242號美國臨時申請案的優先權,所述美國臨時申請案以引用方式并入本文中。
本申請案涉及2015年4月21日申請、標題為“共焦線檢查光學系統(CONFOCAL LINEINSPECTION OPTICAL SYSTEM)”的共同擁有且同在申請中的第14/691,966號(第2015/0369750號公開申請案)美國專利申請案及2007年5月25日申請、標題為“使用背側照明的線性傳感器的檢查系統(INSPECTION SYSTEM USING BACK SIDE ILLUMINATED LINEARSENSOR)”的第11/805,907號(第2011/0073982號公開申請案)美國專利申請案,所述美國專利申請案以引用方式并入本文中。
技術領域
本申請案涉及適于感測可見、UV、深UV(DUV)、真空UV(VUV)、極UV(EUV)及X射線波長的輻射且適于感測電子或其它帶電粒子的線傳感器及相關聯電子電路,且涉及用于操作此類線傳感器的方法。所述傳感器及電路尤其適用于檢查及計量系統,包含用來檢查及/或測量光掩模、分劃板及半導體晶片上的特征的檢查及計量系統。
背景技術
集成電路工業需要具有越來越高靈敏度的檢查工具來檢測不斷變小的缺陷及粒子,且需要高精度計量工具用于準確地測量半導體晶片上的小特征的尺寸。半導體工業當前制造具有約20nm及更小的特征尺寸的半導體裝置。在幾年之內,所述工業將制造具有約5nm的特征尺寸的半導體裝置。大小僅幾nm的粒子及缺陷可減小晶片良率,且1nm的十分之幾或更小的特征尺寸的變化可引起晶體管或存儲器裝置的電性能的顯著變化或故障。
如果半導體檢查及計量工具可檢查或測量CMOS制造中使用的所有或多數不同材料及結構,那么所述半導體檢查及計量工具是最有用的。不同材料及結構具有彼此極其不同的反射率。為具有靈活性,半導體檢查及計量工具可使用光照明及光收集的多個波長及/或多個角度。選擇使用哪些角度通常涉及根據所檢查或測量的事物將適當塑形且定大小的孔徑切換到光學路徑中的正確位置中。
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