[發明專利]微機電泵的制造方法

有效

• 申請號: 201910249696.4
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN111747373B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發明（設計）人: 莫皓然;余榮侯;張正明;戴賢忠;廖文雄;黃啟峰;韓永隆;蔡長諺
• 申請（專利權）人: 研能科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種微機電泵的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟(S101)提供一第一基板，該第一基板具有相對的一第一表面及一第二表面；

步驟(S102)于該第一基板的該第一表面上形成一第一氧化層，以及形成自該第二表面至該第一表面呈漸縮的多個流入孔；

步驟(S103)對該第一氧化層進行蝕刻，以形成一匯流腔室及多個匯流通道，該多個匯流通道分別對應于該第一基板的該多個流入孔；

步驟(S104)提供一第二基板，該第二基板具有相對的一第三表面及一第四表面；

步驟(S105)對該第二基板的該第三表面進行蝕刻，以于其中心形成一穿孔；

步驟(S106)通過該第二基板的該穿孔進行蝕刻，以于該第二基板內形成一振動腔室；

步驟(S107)將該第二基板結合至該第一基板，該第二基板的該第三表面與該第一氧化層貼合；

步驟(S108)并對該第二基板的該第四表面進行薄化，形成與該第三表面相對的一薄化表面；以及

步驟(S109)于該薄化表面疊置一壓電組件。

2.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(S109)包含有以下步驟：

步驟(S109a)沉積一下電極層；

步驟(S109b)于該下電極層上沉積一壓電層；

步驟(S109c)于該壓電層的部分與該下電極的部分沉積一絕緣層；及

步驟(S109d)于該壓電層未沉積該絕緣層的區域及部分的絕緣層上沉積一上電極層，該上電極層的部分與該壓電層電性連接。

3.如權利要求1項所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第二基板透過研磨制程進行薄化。

4.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第一基板 是一硅芯片。

5.如權利要求4所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第二基板是一絕緣層上覆硅的硅芯片(SOI wafer)。

6.如權利要求5所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該絕緣層上覆硅的硅芯片包含一硅材層、一第二氧化層及一硅芯片層，該第二氧化層疊設于該硅芯片層，該硅材層疊設于該第二氧化層，該第二基板的該第三表面為該硅材層的一表面，其中，該步驟(S105)是對該硅材層蝕刻以形成該穿孔，該步驟(S106)是通過該穿孔對該第二氧化層蝕刻以形成該振動腔室，該步驟(S108)是對該第二基板的該硅芯片層進行薄化，以形成該薄化表面。

7.如權利要求6所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：步驟(S110)對該硅芯片層的該薄化表面進行蝕刻，于該硅芯片層形成多個流體通道，該多個流體通道與該振動腔室相連通。

8.如權利要求6所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該步驟(S108)包含步驟(S108a)對該硅芯片層的該薄化表面進行蝕刻，于該硅芯片層形成多個流體通道，該多個流體通道與該振動腔室相連通。

9.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：步驟(S110)對該第二基板的該薄化表面進行蝕刻，以形成多個流體通道，該多個流體通道與該振動腔室相連通。

10.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該步驟(S108)包含步驟(S108a)對該第二基板的該薄化表面進行蝕刻，以形成多個流體通道，該多個流體通道與該振動腔室相連通。