[發明專利]一種撥動開關狀態檢測電路、方法及裝置

有效

• 申請號: 201910247860.8
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109932647B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 周廣飛;劉啟武;操四勝;趙寰;王映娟;趙勇
• 申請（專利權）人: 四川虹美智能科技有限公司
• 主分類號: G01R31/327
• 分類號: G01R31/327
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 李世喆

本發明提供了一種撥動開關狀態檢測電路、方法及裝置，該電路包括：第一數量的撥動開關組和輸出端口、第二數量的檢測端口和上拉電阻、各撥動開關對應的二極管。第二數量為撥動開關組的最大撥動開關數；各上拉電阻一端接第一電壓，另一端分別接各檢測端口；各撥動開關一端接檢測端口，另一端接對應二極管的正極；同一組中不同撥動開關所連接的檢測端口不同；各二極管的負極均接一輸出端口；兩二極管所對應的撥動開關屬同一組時，其所連輸出端口相同，反之不同；任一輸出端口所連線路的通斷狀態可控制。基于各輸出端口所連線路的通斷控制，可根據各檢測端口處的電平狀態來確定各撥動開關的開關狀態。可見，本方案能夠減少I/O端口的設置數量。

技術領域

本發明涉及電子技術領域，特別涉及一種撥動開關狀態檢測電路、方法及裝置。

背景技術

現有撥動開關狀態檢測電路種類繁多。

目前，較為常用的，開關檢測中單個開關對接單個I/O(input/output，輸入/輸出)端口。

如此，當撥動開關數量較多時，就需要設置較多的I/O端口，從而會占用大量的芯片硬件資源。

發明內容

本發明提供了一種撥動開關狀態檢測電路、方法及裝置，能夠減少I/O端口的設置數量。

為了達到上述目的，本發明是通過如下技術方案實現的：

第一方面，本發明提供了一種撥動開關狀態檢測電路，包括：

第一數量的包括有至少一個撥動開關的撥動開關組、所述第一數量的輸出端口、第二數量的檢測端口、每一個撥動開關對應的二極管和所述第二數量的上拉電阻；

其中，所述第二數量為一撥動開關組中撥動開關的個數，且任一其他撥動開關組中撥動開關的個數均不大于所述第二數量；

每一個所述上拉電阻的第一端均接第一電壓，每一個所述上拉電阻的第二端一一對應連接于所述第二數量的檢測端口；

每一個所述撥動開關的第一端均連接一所述檢測端口，且同一撥動開關組中，不同撥動開關所連接的檢測端口不同；

每一個所述二極管的正極均連接對應撥動開關的第二端，每一個所述二極管的負極均連接一所述輸出端口；

對于任意兩個二極管，該兩個二極管所分別對應的撥動開關屬于同一撥動開關組時，該兩個二極管所連接的輸出端口相同，該兩個二極管所分別對應的撥動開關不屬于同一撥動開關組時，該兩個二極管所連接的輸出端口不同；

任一所述輸出端口所連線路的通斷狀態可控制。

進一步地，該撥動開關狀態檢測電路還包括：每一個所述輸出端口對應的NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬-氧化物-半導體)晶體管；

其中，每一個所述NMOS晶體管的源極均接地；

每一個所述NMOS晶體管的柵極均連接對應的輸出電路；

每一個所述二極管的負極均通過與一NMOS晶體管的漏極相連，以連接該NMOS晶體管對應的輸出端口。

進一步地，所述輸出端口配置為N溝道漏極開路輸出。

進一步地，該撥動開關狀態檢測電路還包括：每一個所述檢測端口對應的濾波電路；

其中，每一個所述濾波電路的第一端分別連接對應的檢測端口，每一個所述濾波電路的第二端均接地。

進一步地，任一所述撥動開關組中撥動開關的個數均為所述第二數量。

第二方面，本發明提供了一種基于上述任一所述撥動開關狀態檢測電路的撥動開關狀態檢測方法，包括：