[發明專利]一種撥動開關狀態檢測電路、方法及裝置

有效

• 申請號: 201910247860.8
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109932647B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 周廣飛;劉啟武;操四勝;趙寰;王映娟;趙勇
• 申請（專利權）人: 四川虹美智能科技有限公司
• 主分類號: G01R31/327
• 分類號: G01R31/327
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 李世喆

1.一種撥動開關狀態檢測電路，其特征在于，包括：

第一數量的包括有至少一個撥動開關的撥動開關組、所述第一數量的輸出端口、第二數量的檢測端口、每一個撥動開關對應的二極管和所述第二數量的上拉電阻；其中，檢測端口的個數取決于撥動開關組中撥動開關的最大個數；

其中，所述第二數量為一撥動開關組中撥動開關的個數，且任一其他撥動開關組中撥動開關的個數均不大于所述第二數量；

每一個所述上拉電阻的第一端均接第一電壓，每一個所述上拉電阻的第二端一一對應連接于所述第二數量的檢測端口；

每一個所述撥動開關的第一端均連接一所述檢測端口，且同一撥動開關組中，不同撥動開關所連接的檢測端口不同；

每一個所述二極管的正極均連接對應撥動開關的第二端，每一個所述二極管的負極均連接一所述輸出端口；

對于任意兩個二極管，該兩個二極管所分別對應的撥動開關屬于同一撥動開關組時，該兩個二極管所連接的輸出端口相同，該兩個二極管所分別對應的撥動開關不屬于同一撥動開關組時，該兩個二極管所連接的輸出端口不同；

任一所述輸出端口所連線路的通斷狀態可控制。

2.根據權利要求1所述的撥動開關狀態檢測電路，其特征在于，

還包括：每一個所述輸出端口對應的N型金屬-氧化物-半導體NMOS晶體管；

其中，每一個所述NMOS晶體管的源極均接地；

每一個所述NMOS晶體管的柵極均連接對應的輸出電路；

每一個所述二極管的負極均通過與一NMOS晶體管的漏極相連，以連接該NMOS晶體管對應的輸出端口。

3.根據權利要求1所述的撥動開關狀態檢測電路，其特征在于，

所述輸出端口配置為N溝道漏極開路輸出。

4.根據權利要求1所述的撥動開關狀態檢測電路，其特征在于，

還包括：每一個所述檢測端口對應的濾波電路；

其中，每一個所述濾波電路的第一端分別連接對應的檢測端口，每一個所述濾波電路的第二端均接地。

5.根據權利要求1至4中任一所述的撥動開關狀態檢測電路，其特征在于，

任一所述撥動開關組中撥動開關的個數均為所述第二數量。

6.一種基于如權利要求1至5中任一所述撥動開關狀態檢測電路的撥動開關狀態檢測方法，其特征在于，包括：

依次針對每一個所述輸出端口，均執行：

控制當前輸出端口所連線路導通，控制任一其他輸出端口所連線路斷開；

針對每一個目標撥動開關，所述目標撥動開關為連接所述當前輸出端口的撥動開關，均執行：

根據當前目標撥動開關所連檢測端口處的電平狀態，確定所述當前目標撥動開關的開關狀態。

7.根據權利要求6所述的撥動開關狀態檢測方法，其特征在于，

所述撥動開關狀態檢測電路包括每一個所述輸出端口對應的N型金屬-氧化物-半導體NMOS晶體管；

其中，每一個所述NMOS晶體管的源極均接地；

每一個所述NMOS晶體管的柵極均連接對應的輸出電路；

每一個所述二極管的負極均通過與一NMOS晶體管的漏極相連，以連接該NMOS晶體管對應的輸出端口；

所述控制當前輸出端口所連線路導通，包括：控制當前輸出端口輸出所述第一電壓，以使所述當前輸出端口對應的NMOS晶體管導通；

所述控制任一其他輸出端口所連線路斷開，包括：控制任一其他輸出端口均輸出零電平，以使任一其他輸出端口對應的NMOS晶體管均不導通。

8.根據權利要求6所述的撥動開關狀態檢測方法，其特征在于，

所述輸出端口配置為N溝道漏極開路輸出；

所述控制當前輸出端口所連線路導通，包括：將當前N溝道漏極開路輸出端口設置為0電平狀態，以使所述當前N溝道漏極開路輸出端口所連線路導通；

所述控制任一其他輸出端口所連線路斷開，包括：將任一其他N溝道漏極開路輸出端口均設置為開路狀態，以使任一其他N溝道漏極開路輸出端口所連線路均斷開。