[發明專利]氮化鎵射頻器件、參數確定方法和射頻器件制作方法

在審

• 申請號: 201910245680.6
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN109950307A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 盧益鋒;林科闖;鄒鵬輝;許若華;劉勝厚;蔡仙清;楊健
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66
• 代理公司: 北京超成律師事務所 11646
• 代理人: 劉靜

1.一種氮化鎵射頻器件，其特征在于，包括：

殼體結構；

封裝于所述殼體結構的氮化鎵晶體管；

封裝于所述殼體結構的阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路包括導線和至少兩個電容，各電容的其中一端通過導線依次連接、另一端分別接地，且各電容依次連接后位于首端的電容通過導線與設置于所述殼體結構的輸入引腳連接、位于末端的電容通過導線與所述氮化鎵晶體管的柵極連接；

其中，所述阻抗匹配電路的阻抗滿足以下預設條件：所述阻抗匹配電路的基波阻抗的實部與所述氮化鎵晶體管的基波阻抗的實部都為正數，且兩個實部之差小于第一預設值，所述阻抗匹配電路的基波阻抗的虛部與所述氮化鎵晶體管的基波阻抗的虛部中的一個為正數、另一個為負數，且兩個虛部之和小于第二預設值，所述阻抗匹配電路的二次諧波阻抗小于第三預設值。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵射頻器件，其特征在于，所述導線的電感值基于所述阻抗匹配電路的阻抗確定，且該導線的拱高參數和距離參數基于該導線確定的電感值確定。

3.根據權利要求2所述的氮化鎵射頻器件，其特征在于，所述導線為鍵合金絲。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵射頻器件，其特征在于，每個所述電容的電容值基于阻抗匹配電路的阻抗確定，且每個所述電容的介電常數和極板面積基于該電容確定的電容值確定。

5.根據權利要求4所述的氮化鎵射頻器件，其特征在于，每個所述電容為單層金屬電容。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的氮化鎵射頻器件，其特征在于，所述電容為兩個，該兩個電容的其中一端通過第一導線連接，其中一個電容通過第二導線與所述輸入引腳連接、另一個電容通過第三導線與所述氮化鎵晶體管的柵極連接。

7.一種參數確定方法，其特征在于，用于確定待制作的氮化鎵射頻器件中阻抗匹配電路的阻抗值，該氮化鎵射頻器件還包括待封裝的氮化鎵晶體管和用于封裝的殼體結構，所述參數確定方法包括：

獲取所述氮化鎵晶體管的阻抗值；

基于預設條件和所述氮化鎵晶體管的阻抗值得到所述阻抗匹配電路的阻抗值；

其中，所述阻抗匹配電路包括導線和至少兩個電容，各電容的其中一端通過導線依次連接、另一端分別接地，且各電容依次連接后位于首端的電容通過導線與設置于所述殼體結構的輸入引腳連接、位于末端的電容通過導線與所述氮化鎵晶體管的柵極連接；

所述預設條件包括：所述阻抗匹配電路的基波阻抗的實部與所述氮化鎵晶體管的基波阻抗的實部都為正數，且兩個實部之差小于第一預設值，所述阻抗匹配電路的基波阻抗的虛部與所述氮化鎵晶體管的基波阻抗的虛部中的一個為正數、另一個為負數，且兩個虛部之和小于第二預設值，所述阻抗匹配電路的二次諧波阻抗小于第三預設值。

8.根據權利要求7所述的參數確定方法，其特征在于，還包括：

獲取用于封裝所述氮化鎵射頻器件的殼體結構的封裝參數；

基于所述封裝參數和所述阻抗匹配電路的阻抗值確定所述導線的拱高參數和距離參數。

9.根據權利要求7所述的參數確定方法，其特征在于，還包括：

獲取用于封裝所述氮化鎵射頻器件的殼體結構的封裝參數；

基于所述封裝參數和所述阻抗匹配電路的阻抗值確定每個所述電容的介電常數和極板面積。

10.一種射頻器件制作方法，用于制作包括氮化鎵晶體管和阻抗匹配電路的氮化鎵射頻器件，其特征在于，所述射頻器件制作方法包括：

基于權利要求7-9任意一項所述的參數確定方法得到的參數制作對應的阻抗匹配電路；

將所述氮化鎵晶體管和所述阻抗匹配電路封裝于殼體結構，得到所述氮化鎵射頻器件。