[發明專利]電子裝置有效
| 申請號: | 201910245219.0 | 申請日: | 2019-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN111755466B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 楊蕙菁;張道生;李淂裕 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N25/76 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 | ||
一種電子裝置,包括像素傳感電路。像素傳感電路包括光電二極管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及電容。光電二極管具有第一端及第二端,第一晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第一晶體管的控制端接收重置信號,第一晶體管的第一端耦接于光電二極管的第二端。第二晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第二晶體管的控制端耦接于光電二極管的第二端。第三晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第三晶體管的控制端接收選行信號,第三晶體管的第一端耦接于第二晶體管的第二端。電容耦接于光電二極管的第二端及第一晶體管的第二端。
技術領域
本發明是有關于一種電子裝置,特別是一種偵測影像的光感測元件的電子裝置。
背景技術
主動式像素傳感器(Active?Pixel?Sensor)是一種具有光電二極管及主動式放大器的影像傳感器,其已廣泛應用于影像感測上,例如數字相機、數字掃描和指紋辨識。主動式像素傳感器使用光電二極管偵測光強度以轉換為相應大小的電流,在被偵測光線光強度微弱的情況下,在相關技術中會增加光電二極管的面積以增加光電二極管的電流,然而增加光電二極管的面積會同時增加光電二極管的寄生電容而使得光電二極管電流產生的電壓變化減低,無法有效偵測光線并提供清楚的影像質量。
為了加強影像質量,需要一種可在被偵測光線光強度微弱的情況下偵測影像的主動式像素傳感器。
發明內容
本發明的實施例提供一種電子裝置,包括像素傳感電路。像素傳感電路包括光電二極管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及電容。光電二極管具有第一端及第二端,第一晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第一晶體管的控制端接收重置信號,第一晶體管的第一端耦接于光電二極管的第二端。第二晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第二晶體管的控制端耦接于光電二極管的第二端。第三晶體管具有控制端、第一端及第二端,其中第三晶體管的控制端接收選行信號,第三晶體管的第一端耦接于第二晶體管的第二端。電容耦接于光電二極管的第二端及第一晶體管的第二端。
附圖說明
圖1是本發明實施例的電子裝置的示意圖。
圖2是圖1電子裝置的信號控制方式的時序圖。
圖3是圖1電子裝置的另一信號控制方式的時序圖。
圖4是本發明實施例的另一電子裝置的示意圖。
圖5是圖4電子裝置的控制方式的時序圖。
圖6是圖4電子裝置的另一控制方式的時序圖。
圖7是本發明實施例的電子裝置的示意圖。
附圖標記說明:1、4、7-電子裝置;10、40-像素傳感電路;12、42-重置驅動器;14-掃描驅動器;16-數據驅動器;70-像素陣列;Cd-寄生電容;Cp-電容;D1-光電二極管;ID1、Id-電流;M1、M1’-第一晶體管;M2-第二晶體管;M3-第三晶體管;Srst、Srst[n]、Srst[n+1]-重置信號;Srow、Srow[n]、Srow[n+1]-選行信號;Scol-輸出信號;Treset-重置期間;Tscan-掃描期間;Tsense-感測期間;VA-電壓;V1、V2、V3-第一電壓、第二電壓、第三電壓。
具體實施方式
圖1是本發明實施例的電子裝置1的示意圖。電子裝置1可應用于互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像傳感器或指紋傳感器,且包括像素傳感電路10、重置驅動器12、掃描驅動器14及數據驅動器16。重置驅動器12、掃描驅動器14及數據驅動器16分別耦接于像素傳感電路10以控制像素傳感電路10在重置模式、感測模式或掃描模式下運作。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群創光電股份有限公司,未經群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910245219.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





