[發(fā)明專利]電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910245219.0
• 申請(qǐng)日: 2019-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111755466B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊蕙菁;張道生;李淂裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N25/76
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;侯奇慧

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

像素傳感電路，包括:

光電二極管，具有第一端及第二端；

第一晶體管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第一晶體管的所述控制端接收重置信號(hào)，及所述第一晶體管的所述第一端耦接于所述光電二極管的所述第二端；

第二晶體管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第二晶體管的所述控制端耦接于所述光電二極管的所述第二端；

第三晶體管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第三晶體管的所述控制端接收選行信號(hào)，所述第三晶體管的所述第一端耦接于所述第二晶體管的所述第二端；及

電容，耦接于所述光電二極管的所述第二端及所述第一晶體管的所述第二端；

其中，在感測(cè)期間，所述第三晶體管與所述第一晶體管截止且所述光電二極管將入射光轉(zhuǎn)為電流；及

在掃描期間，所述第三晶體管接收所述選行信號(hào)以導(dǎo)通，所述感測(cè)期間的時(shí)間長(zhǎng)度大于所述掃描期間的時(shí)間長(zhǎng)度且所述感測(cè)期間與所述掃描期間部分重迭。

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述光電二極管的所述第一端及所述光電二極管的所述第二端之間的壓差介于0.5V和1.5V之間。

3.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，其中所述第一晶體管的所述控制端及所述第一晶體管的所述第二端之間的壓差介于0.5V和2V之間。

4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述電容的電容值介于1.2fF和10fF之間。

5.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述第一晶體管是NMOS晶體管或PMOS晶體管，且所述第三晶體管是NMOS晶體管或PMOS晶體管。

6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述第一晶體管是NMOS晶體管，且所述第三晶體管是PMOS晶體管。

7.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述第一晶體管是PMOS晶體管，且所述第三晶體管是NMOS晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述第三晶體管具有雙閘構(gòu)造。

9.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，其中所述重置信號(hào)和所述選行信號(hào)不同步。