[發明專利]濺鍍靶

在審

• 申請號: 201910242027.4
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN110318026A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 掛野崇;久家俊洋
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

提供一種濺鍍靶，其能夠良好地抑制伴隨濺鍍而產生結核。一種濺鍍靶，由In、Zn及O構成，且Zn與In以原子濃度(at％)比計滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.22，相對密度為98％以上，空孔為2個/10500μm²以下，厚度方向的中心處的體積電阻率為2mΩ·cm以下。

技術領域

本發明涉及一種濺鍍靶。

背景技術

氧化銦-氧化錫系氧化物(記作“ITO”)或氧化銦-氧化鋅系氧化物(記作“IZO”)等以氧化銦作為主成分的氧化物的薄膜因為具有高導電性和可見光區域的透過性，所以被廣泛地用作液晶顯示裝置等各種平板顯示裝置的像素電極。特別是，關于IZO，因為能獲得穩定的非晶質的膜，所以具有蝕刻特性良好，膜表面的平坦度也高等特性。作為透明導電性薄膜的形成方法，廣泛地進行使用由這些氧化物燒結體制造的濺鍍靶的濺鍍法。

在濺鍍靶的密度低的情況，也就是在靶內殘留了空孔的情況下，因殘留于空孔內的氣體而導致在濺鍍中產生異常放電(弧光放電)的可能性變高。關于IZO系，因為含有蒸汽壓低的Zn，所以根據爐內的氛圍，有可能因Zn的揮發而使燒結體的密度及空孔的產生率容易具有不均，成為低密度的IZO產生異常放電的次數變多。因此，就IZO系來說，認為減輕空孔對良好的濺鍍的操作、成膜有效果。另外，就DC濺鍍來說，認為體積電阻低的濺鍍靶產生異常放電的概率變低。

專利文獻1中記載了在將氧化鋅粉與氧化銦粉混合、煅燒，并將該煅燒粉末再次混合，進行成型、再燒結的情況下，以×2000倍確認組織時，微孔為10個以下。該技術與通常燒結相比，有空孔大幅減少的優點。

專利文獻2中公開了通過調整IZO的燒結條件，制作如平面研磨后的靶面內的體積電阻率成為1～10mΩ·cm這樣的靶的方法。可知該技術中，翹曲被抑制為1～1.5mm左右，體積電阻率在2～3mΩ·cm的范圍內變動。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第6078189號公報

[專利文獻2]日本專利第6125689號公報

發明內容

[發明所要解決的問題]

然而，專利文獻1中所記載的技術中有如下問題：混合煅燒粉末時所使用的粉碎的介質在燒結體內的含量變高。另外，因為認為在靶內存在空孔的分布，所以期望空孔更少的靶。

另外，已知一般來說氧化物靶在厚度方向上具有電阻值的分布，即便利用專利文獻2中所記載的技術制作翹曲小的靶，如果平面研磨量過少，那么也有在面內產生體積電阻高的部位的疑慮。

因此，本發明的實施方式的課題在于提供一種濺鍍靶，其能夠良好地抑制伴隨濺鍍而產生異常放電。

[解決問題的技術手段]

本發明人等為了解決這樣的問題而進行了各種研究，結果發現，在IZO濺鍍靶中，通過控制Zn與In的原子濃度(at％)比、相對密度、空孔的數量及體積電阻率，能夠良好地抑制伴隨濺鍍而產生異常放電。

以所述見解為基礎而完成的本發明的實施方式的一方面是一種濺鍍靶，其由In、Zn及O構成，且Zn與In以原子濃度(at％)比計滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.22，相對密度為98％以上，空孔為2個/10500μm²以下，厚度方向的中心處的體積電阻率為2mΩ·cm以下。

本發明的實施方式的另一方面是一種濺鍍靶，其由In、Zn及O構成，且Zn與In以原子濃度(at％)比計滿足0.22＜Zn/(In+Zn)≦0.30，相對密度為98％以上，空孔為2個/10500μm²以下，厚度方向的中心處的體積電阻率為4mΩ·cm以下。