[發明專利]濺鍍靶

在審

• 申請號: 201910242027.4
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN110318026A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 掛野崇;久家俊洋
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種濺鍍靶，其由In、Zn及O構成，且Zn與In以原子濃度(at％)比計滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.22，相對密度為98％以上，空孔為2個/10500μm²以下，厚度方向的中心處的體積電阻率為2mΩ·cm以下。

2.根據權利要求1所述的濺鍍靶，其中，所述濺鍍靶的表面與厚度方向的中心的體積電阻率的差為1.0mΩcm以下。

3.根據權利要求1所述的濺鍍靶，其中，從所述濺鍍靶的表面起厚度方向上每0.5mm的體積電阻率的最大差為0.5mΩcm以下。

4.根據權利要求2所述的濺鍍靶，其中，從所述濺鍍靶的表面起厚度方向上每0.5mm的體積電阻率的最大差為0.5mΩcm以下。

5.一種濺鍍靶，其由In、Zn及O構成，且Zn與In以原子濃度(at％)比計滿足0.22＜Zn/(In+Zn)≦0.30，相對密度為98％以上，空孔為2個/10500μm²以下，厚度方向的中心處的體積電阻率為4mΩ·cm以下。

6.根據權利要求5所述的濺鍍靶，其中，所述濺鍍靶的表面與厚度方向的中心的體積電阻率的差為1.0mΩcm以下。

7.根據權利要求5所述的濺鍍靶，其中，從所述濺鍍靶的表面起厚度方向上每0.5mm的體積電阻率的最大差為0.5mΩcm以下。

8.根據權利要求6所述的濺鍍靶，其中，從所述濺鍍靶的表面起厚度方向上每0.5mm的體積電阻率的最大差為0.5mΩcm以下。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的濺鍍靶，其中，Zr的含量為50wtppm以下，Si的含量為15wtppm以下，Al的含量為10wtppm以下，Fe的含量為10wtppm以下。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的濺鍍靶，其中，所述濺鍍靶的厚度方向上的空孔的分布的標準偏差為1個/10500μm²以下。

11.根據權利要求9所述的濺鍍靶，其中，所述濺鍍靶的厚度方向上的空孔的分布的標準偏差為1個/10500μm²以下。

12.一種濺鍍靶的制造方法，其包括：

將氧化銦粉及氧化鋅粉混合并粉碎而獲得混合粉的步驟；

將所述混合粉填充到模具中進行加壓成型而獲得成型體的步驟；

將所述成型體升溫到1350～1500℃進行燒結而獲得燒結體的步驟；及

對所述燒結體實施900℃～1350℃、1000～1800kgf/cm²、1～10hr的HIP處理的步驟。