[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910241621.1
• 申請(qǐng)日: 2019-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110600481A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金光洙;金俊亨;金是完;吳京澤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/11565;H01L27/1157
• 代理公司: 11330 北京市立方律師事務(wù)所
• 代理人: 李娜

1.一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

設(shè)置在基底上并在垂直于所述基底的表面的方向上堆疊的第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)分別包括在垂直于所述基底的表面的方向上彼此間隔地堆疊的第一柵電極和第二柵電極；

穿過(guò)所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)并被所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)圍繞的貫穿區(qū)域；以及

穿過(guò)所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)的垂直溝道結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)具有與所述貫穿區(qū)域相鄰并且被布置成第一階梯形狀的第一接觸焊盤(pán)，并且所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)具有與所述貫穿區(qū)域相鄰并且被布置成第二階梯形狀的第二接觸焊盤(pán)，并且

其中，當(dāng)從所述三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的俯視圖中看時(shí)，所述第二接觸焊盤(pán)中的一部分第二接觸焊盤(pán)在所述貫穿區(qū)域的一側(cè)與所述第一接觸焊盤(pán)交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

第三柵極堆疊結(jié)構(gòu)，所述第三柵極堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)上，并且包括彼此間隔開(kāi)并在垂直于所述基底的表面的方向上堆疊的第三柵電極，

其中，所述第三柵極堆疊結(jié)構(gòu)具有與所述貫穿區(qū)域相鄰并且被布置成第三階梯形狀的第三接觸焊盤(pán)，并且

其中，當(dāng)從所述俯視圖中看時(shí)，所述第三接觸焊盤(pán)中的至少一部分第三接觸焊盤(pán)在所述貫穿區(qū)域的另一側(cè)與所述第二接觸焊盤(pán)交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

穿過(guò)所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)并在與所述基底的表面平行的第一方向上延伸的主分隔結(jié)構(gòu)，

其中，所述貫穿區(qū)域設(shè)置在所述主分隔結(jié)構(gòu)之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

輔助分隔結(jié)構(gòu)，所述輔助分隔結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述主分隔結(jié)構(gòu)之間并且具有在所述第一方向上間隔開(kāi)的多個(gè)部分，

其中，所述輔助分隔結(jié)構(gòu)的一部分穿過(guò)所述第一接觸焊盤(pán)和所述第二接觸焊盤(pán)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

其中，所述垂直溝道結(jié)構(gòu)包括穿過(guò)所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第一垂直溝道結(jié)構(gòu)和穿過(guò)所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第二垂直溝道結(jié)構(gòu)，并且

其中，所述第一垂直溝道結(jié)構(gòu)和所述第二垂直溝道結(jié)構(gòu)均包括溝道半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

連接到所述第一柵電極和所述第二柵電極的柵極接觸插塞，

其中，所述柵極接觸插塞中的第一部分柵極接觸插塞設(shè)置在所述第二接觸焊盤(pán)上，并且所述柵極接觸插塞中的第二部分柵極接觸插塞設(shè)置在不與所述第二接觸焊盤(pán)中的所述一部分第二接觸焊盤(pán)交疊的所述第一接觸焊盤(pán)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：

外圍接觸插塞，所述外圍接觸插塞穿過(guò)所述貫穿區(qū)域并電連接到設(shè)置在低于所述基底的區(qū)域中的外圍電路；以及

用于電連接所述柵極接觸插塞和所述外圍接觸插塞的連接布線。

8.一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

設(shè)置在基底上的存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域；

位于所述存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域之間的第一內(nèi)階梯區(qū)域和第二內(nèi)階梯區(qū)域；

位于所述第一內(nèi)階梯區(qū)域與所述第二內(nèi)階梯區(qū)域之間的橋接區(qū)域；

柵極堆疊結(jié)構(gòu)，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括堆疊在所述存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域中并在第一方向上縱長(zhǎng)地延伸到所述第一內(nèi)階梯區(qū)域和所述第二內(nèi)階梯區(qū)域的第一字線和第二字線，所述第一方向平行于所述基底的表面；以及

在所述橋接區(qū)域中穿過(guò)所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的貫穿區(qū)域，

其中，所述第一字線和所述第二字線分別從所述存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域縱長(zhǎng)地延伸并在所述橋接區(qū)域中彼此連接，并且

其中，設(shè)置在所述第一內(nèi)階梯區(qū)域中的所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的長(zhǎng)度與設(shè)置在所述第二內(nèi)階梯區(qū)域中的所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的長(zhǎng)度不同。