[發明專利]厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻有效
| 申請號: | 201910234078.2 | 申請日: | 2019-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN110322984B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 川久保勝弘 | 申請(專利權)人: | 住友金屬礦山株式會社 |
| 主分類號: | H01B1/20 | 分類號: | H01B1/20;H01C7/00;C03C12/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;鐘海勝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 組成 用膏體 | ||
提供了厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻。該厚膜電阻用組成物包括不含鉛成分的氧化釕粉末以及不含鉛成分的玻璃,氧化釕粉末中根據(110)晶面的峰值計算出的微晶徑D1為25nm以上80nm以下,比表面積徑D2為25nm以上114nm以下,且,微晶徑D1(nm)與比表面積徑D2(nm)之比滿足以下公式(1),0.70≤D1/D2≤1.00 (1);玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是從Ca、Sr以及Ba中選擇的1種以上的元素),在SiO2與B2O3與RO的合計量為100質量份的情況下,SiO2的含有比率為10質量份以上50質量份以下,B2O3的含有比率為8質量份以上30質量份以下,RO的含有比率為40質量份以上65質量份以下。
技術領域
本發明涉及一種厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻。
背景技術
一般而言,通過在陶瓷基板上印刷厚膜電阻用膏體并進行燒成,形成芯片電阻、混合IC及電阻網絡等的厚膜電阻。厚膜電阻用組成物廣泛使用以釕類導電粒子以及玻璃作為主成分的材料,釕類導電粒子指以氧化釕為代表的導電粒子。
關于厚膜電阻使用釕類導電粒子及玻璃的理由,除了可在空氣中進行燒成,可使電阻溫度系數(TCR)接近0之外,還能舉出可形成廣域電阻值等理由。
在此,電阻溫度系數是根據-55℃以及125℃時的電阻值相對于25℃時的電阻值求出的溫度系數,可通過以下公式求出。將根據-55℃與25℃的電阻值求出的電阻溫度系數稱為低溫側TCR(COLD-TCR),將根據25℃與125℃的電阻值求出的電阻溫度系數稱為高溫側TCR(HOT-TCR)。
COLD-TCR(ppm/℃)=(R-55-R25)/R25/(-80)×106
HOT-TCR(ppm/℃)=(R125-R25)/R25/(100)×106
厚膜電阻中,要求使COLD-TCR與HOT-TCR兩者都接近0。
作為現有的厚膜電阻中使用最多的釕類導電粒子,可以舉出具有金紅石(rutile)型晶體結構的氧化釕(RuO2)、具有燒綠石(Pyrochlore)型晶體結構的釕酸鉛(Pb2Ru2O6.5)。這些都是顯示金屬導電性的氧化物。
厚膜電阻的玻璃,一般會使用軟化點比厚膜電阻用膏體的燒成溫度低的玻璃,歷來使用包含氧化鉛(PbO)的玻璃。作為其理由可以舉出,氧化鉛(PbO)具有降低玻璃軟化點的效果,通過變更其含有率,可在廣范圍內變更軟化點,可制作出化學耐性較高的玻璃,絕緣性高且耐壓性良好。
在包含釕類導電粒子與玻璃的厚膜電阻用組成物中,被要求低電阻值時配合較多的釕類導電粒子以及較少的玻璃,被要求高電阻值時配合較少的釕類導電粒子以及較多的玻璃,來調整電阻值。在釕類導電粒子配合多的低電阻值區域,可見電阻溫度系數容易正向增大,在釕類導電粒子配合少的高電阻值區域,可見電阻溫度系數容易成為負值的特征。
如上所述,電阻溫度系數表示溫度變化所致的電阻值變化,其為厚膜電阻的重要特性之一。通過在厚膜電阻用組成物中加入以金屬氧化物為主的添加劑,能夠調整電阻溫度系數。電阻溫度系數較容易調整為負值,作為添加劑可以舉出錳氧化物、鈮氧化物、鈦氧化物等。然而,電阻溫度系數較難調整成正值,實質上無法將具有負電阻溫度系數的厚膜電阻的電阻溫度系數調整成接近0的值。因此,在電阻溫度系數容易成為負值的高電阻值區域,優選組合電阻溫度系數正向增大的導電粒子及玻璃。
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