[發(fā)明專利]厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910234078.2
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110322984B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 川久保勝弘
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: H01B1/20
• 分類號: H01B1/20;H01C7/00;C03C12/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;鐘海勝

1.一種厚膜電阻用組成物，包括不含鉛成分的氧化釕粉末以及不含鉛成分的玻璃，

所述氧化釕粉末中，根據(jù)采用X射線衍射法測定的(110)晶面的峰值計算出的微晶徑D1為25nm以上80nm以下，

根據(jù)比表面積計算出的比表面積徑D2為25nm以上114nm以下，

并且，所述微晶徑D1(nm)與所述比表面積徑D2(nm)之比滿足以下公式(1)，

0.70≤D1/D2≤1.00 (1)

所述微晶徑D1是在X射線的波長為λ(nm)、衍射線輪廓的擴展為β、衍射角為θ的情況下，根據(jù)以下公式(2)計算的，

D1(nm)＝(K·λ)/(β·cosθ) (2)

式(2)中，K是謝樂常數(shù)，

所述比表面積徑D2是在密度為ρ(g/cm³)，比表面積為S(m²/g)，粉末被視為真球的情況下，根據(jù)以下公式(3)計算的，

D2(nm)＝6×10³/(ρ·S) (3)

所述玻璃包含SiO₂、B₂O₃以及RO，其中，R是從Ca、Sr以及Ba中選擇的1種以上的元素，在SiO₂與B₂O₃與RO的合計量為100質(zhì)量份的情況下，SiO₂的含有比率為10質(zhì)量份以上50質(zhì)量份以下，B₂O₃的含有比率為8質(zhì)量份以上30質(zhì)量份以下，RO的含有比率為40質(zhì)量份以上65質(zhì)量份以下。

2.如權利要求1所述的厚膜電阻用組成物，其中，

在所述氧化釕粉末與所述玻璃中，所述氧化釕粉末的比率為5質(zhì)量％以上50質(zhì)量％以下。

3.如權利要求1或2所述的厚膜電阻用組成物，其中，

所述玻璃的50％體積累計粒度為5μm以下。

4.一種厚膜電阻用膏體，

包含如權利要求1至3中的任一項所述的厚膜電阻用組成物以及有機載體。

5.一種厚膜電阻，

包含如權利要求1至3中的任一項所述的厚膜電阻用組成物。