[發明專利]圖像傳感器的制作方法

有效

• 申請號: 201910231830.8
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN109950267B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 韓斌;辛君;林宗賢;吳龍江
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一主體晶圓及一載體晶圓，所述主體晶圓具有相對設置的一第一表面及一第二表面；

對所述主體晶圓的第一表面的邊緣進行切割，在所述主體晶圓的邊緣形成一切割區域及一剝落區域，所述切割區域及所述剝落區域與所述主體晶圓的第一表面具有高度差；

以所述主體晶圓的第一表面為鍵合面，將所述載體晶圓與所述主體晶圓鍵合，所述剝落區域與所述載體晶圓之間形成一縫隙；

自所述主體晶圓的所述第二表面去除部分所述主體晶圓，以第一次減薄所述主體晶圓；

形成一阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述主體晶圓的側面，并延伸至所述載體晶圓，以遮擋所述縫隙；

自所述主體晶圓的第二表面濕法蝕刻所述主體晶圓，以第二次減薄所述主體晶圓；

在所述主體晶圓的所述第二表面制作至少一器件，形成所述圖像傳感器。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在第一次減薄所述主體晶圓的步驟中，所述切割區域的主體晶圓也被去除，使得所述載體晶圓的邊緣突出于所述主體晶圓的邊緣。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，第一次減薄所述主體晶圓的方法為機械研磨。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，形成所述阻擋層的步驟還包括如下步驟：

在所述主體晶圓的第二表面、側面及所述載體晶圓的暴露于所述主體晶圓的一表面沉積一初始阻擋層；

去除位于所述主體晶圓的第二表面上的初始阻擋層，或去除位于所述主體晶圓的第二表面及所述載體晶圓的所述表面上的初始阻擋層，保留位于所述主體晶圓的側面的初始阻擋層，從而形成覆蓋所述主體晶圓的側面的阻擋層。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，去除所述阻擋層的方法為干法蝕刻。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在形成所述阻擋層的步驟之前，還包括一形成緩沖層的步驟，所述緩沖層覆蓋所述主體晶圓的側面，并延伸至所述載體晶圓；在形成所述阻擋層的步驟中，所述阻擋層形成在所述緩沖層上。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氧化物，所述阻擋層的材料為氮化物。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度小于所述阻擋層的厚度。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，采用原子層沉積的方法形成所述阻擋層。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在第二次減薄所述主體晶圓的步驟中，所述濕法蝕刻的蝕刻液對所述阻擋層的蝕刻速率小于對所述主體晶圓的蝕刻速率。