[發明專利]圖像傳感器的制作方法

有效

• 申請號: 201910231830.8
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN109950267B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 韓斌;辛君;林宗賢;吳龍江
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

本發明提供一種圖像傳感器的制作方法，其在主體晶圓與載體晶圓之間的縫隙處設置一阻擋層，則在濕法蝕刻階段，所述阻擋層能夠阻擋蝕刻液進入所述縫隙，避免蝕刻液對縫隙的蝕刻，從而避免了縫隙被進一步擴大，降低后續制程中的滑片風險以及金屬污染的情況發生的幾率，提高產品的良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種圖像傳感器的制作方法。

背景技術

圖像傳感器是指將光信號轉換為電信號的裝置。按照其依據的原理不同，可以區分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)圖像傳感器以及CMOS(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體元件)圖像傳感器。CMOS圖像傳感器具有工藝簡單、易于其它器件集成、體積小、重量輕、功耗小和成本低等優點。因此，隨著圖像傳感技術的發展，CMOS圖像傳感器越來越多地取代CCD圖像傳感器應用于各類電子產品中。目前，CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于靜態數碼相機、數碼攝像機、醫療用攝像裝置和車用攝像裝置等。

按照接收光線的位置的不同，CMOS圖像傳感器可以分為前照式(FSI)圖像傳感器和背照式(BSI)圖像傳感器。其中，與前照式圖像傳感器相比，背照式圖像傳感器最大的優化之處就是將元件內部的結構改變了，即將感光層的元件入射光路調轉方向，讓光線能從背面直射進去，避免了在前照式圖像傳感器中，光線會受到透鏡和光電二極管之間的結構和厚度的影響，提高了光線接收的效能。

圖1A～圖1E是現有的背照式圖像傳感器的制備方法的一工藝流程圖。請參閱圖1A，提供一主體晶圓10及載體晶圓11；請參閱圖1B，對所述主體晶圓10的晶圓邊緣進行修剪；請參閱圖1C，以所述主體晶圓10被修剪過邊緣的面為鍵合面，將所述主體晶圓10與所述載體晶圓11鍵合；請參閱圖1D，自所述主體晶圓10背離所述鍵合面的一表面對所述主體晶圓10進行第一次減薄；請參閱圖1E，采用濕法蝕刻的方法對所述主體晶圓10進行第二次減薄，并進行后續制程。

該種方法的缺點在于，在背照式圖像傳感器制造過程中，晶圓邊緣第一次修剪后進入濕法蝕刻會導致晶圓邊緣產生縫隙，從而在后續制程中對良率產生影響。具體的說，請參閱圖1B，對所述主體晶圓10的晶圓邊緣進行切割形成的切割區域如圖中A區域所示，對所述主體晶圓10的晶圓邊緣進行切割時，所述主體晶圓10靠近切割區域A的區域的表面會被波及而脫落，從而在修剪后的所述主體晶圓10的邊緣形成一低于主體晶圓10的表面的剝落區域B；在鍵合工藝中，請參閱圖1C，該剝落區域B與所述載體晶圓11之間會存在一縫隙12；請參閱圖1E，在濕法蝕刻步驟中，蝕刻液滲入該縫隙12，對該縫隙12會進行進一步蝕刻，導致該縫隙12進一步變大(其中虛線所示為縫隙12原始邊界，實線所示為濕法蝕刻后縫隙12的邊界)，則在后續制程中會存在滑片風險以及金屬污染，從而對良率產生影響。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種圖像傳感器的制作方法，其能夠避免縫隙被進一步變大，從而降低后續制程中的滑片風險以及金屬污染的情況發生的幾率，提高產品的良率。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種圖像傳感器的制作方法，其包括如下步驟：提供一主體晶圓及一載體晶圓，所述主體晶圓具有相對設置的一第一表面及一第二表面；對所述主體晶圓的第一表面的邊緣進行切割，在所述主體晶圓的邊緣形成一切割區域及一剝落區域，所述切割區域及所述剝落區域與所述主體晶圓的第一表面具有高度差；以所述主體晶圓的第一表面為鍵合面，將所述載體晶圓與所述主體晶圓鍵合，所述剝落區域與所述載體晶圓之間形成一縫隙；自所述主體晶圓的所述第二表面去除部分所述主體晶圓，以第一次減薄所述主體晶圓；形成一阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述主體晶圓的側面，并延伸至所述載體晶圓，以遮擋所述縫隙；自所述主體晶圓的第二表面濕法蝕刻所述主體晶圓，以第二次減薄所述主體晶圓；在所述主體晶圓的所述第二表面制作至少一器件，形成所述圖像傳感器。

在一實施例中，在第一次減薄所述主體晶圓的步驟中，所述切割區域的主體晶圓也被去除，使得所述載體晶圓的邊緣突出于所述主體晶圓的邊緣。