[發明專利]基底處理組合物和使用其制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201910231808.3
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110376848A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 金珠英;金賢友;中島誠;志垣修平;柴山亙;武田諭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;日產化學株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/004;C09D183/04
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳宇;尹淑梅

1.一種基底處理組合物，所述基底處理組合物包括第一單體、第二單體和酸，其中，

第一單體由式1表示：

[式1]

X-Si(R1)₂(R2)

其中，R1和R2中的每個是1個至20個碳原子的烷基或1個至20個碳原子的烷氧基，并且X是i)環胺或包括環胺的有機基團，或者ii)其中至少一個氫原子被氨基取代的1個至20個碳原子的烷基、其中至少一個氫原子被氨基或羥基取代的苯基、酯鍵或它們的組合，

第二單體由式7表示：

[式7]

Y-Si(R3)₃

其中，R3是1個至20個碳原子的烷氧基，并且Y是i)環胺或包括環胺的有機基團，或者ii)其中至少一個氫原子被氨基取代的1個至20個碳原子的烷基、結合到磺酰基的1個至20個碳原子的烷基、硫醚鍵、醚鍵或它們的組合，

基底處理組合物的包括第一單體、第二單體和酸的固體含量的分子量為1,000g/mol至50,000g/mol。

2.根據權利要求1所述的基底處理組合物，其中，X通過Si-C鍵結合到Si原子，并且Y通過Si-C鍵結合到Si原子。

3.根據權利要求2所述的基底處理組合物，其中，X由式2、式3、式4、式5或式6表示：

[式2]

[式3]

[式4]

[式5]

-(CH₂)₃-NH₂

[式6]

4.根據權利要求2所述的基底處理組合物，其中，R1和R2中的每個通過Si-C鍵或Si-O鍵結合到Si原子。

5.根據權利要求4所述的基底處理組合物，其中，R3通過Si-O鍵結合到Si原子。

6.根據權利要求2所述的基底處理組合物，其中，Y由式8、式9、式10、式11、式12或式13表示：

[式8]

[式9]

[式10]

[式11]

[式12]

[式13]

-(CH₂)₃-NH₂。

7.根據權利要求1所述的基底處理組合物，所述基底處理組合物還包括溶劑，其中，固體含量是基底處理組合物的除了溶劑之外的總組分的含量。

8.根據權利要求7所述的基底處理組合物，其中，溶劑包括丙二醇乙醚、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚和去離子水中的至少一種。

9.根據權利要求8所述的基底處理組合物，其中，酸是羧酸。

10.根據權利要求1所述的基底處理組合物，其中，第一單體是由式1-1、式1-2、式1-3、式1-4、式1-5或式1-6表示的有機硅烷：

[式1-1]

[式1-2]

[式1-3]

[式1-4]

其中，R是1個至20個碳原子的烷基，

[式1-5]

其中，R是1個至20個碳原子的烷基，

[式1-6]