[發明專利]MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法

有效

• 申請號: 201910231063.0
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN109977539B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 趙梓夷;楊婷;李浩然
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，包括：

S1：抽取半導體器件版圖中同一MOSFET器件的基礎參數；

S2：利用所述基礎參數對半導體器件版圖中同一MOSFET器件的各個子柵擴散區長度LOD參數進行計算；以及

S3：利用所述各個子柵擴散區長度參數進行等效計算得到同一MOSFET器件的等效LOD參數；同一MOSFET器件的等效LOD參數包括計算MOSFET器件等效柵極左側邊距離擴散區左側的長度等效值SAeff，以及MOSFET器件等效柵極右側邊距離擴散區右側的長度等效值SBeff；

其中，lf為子柵的溝道長度，nf為子柵的數量，Sai表示同一MOSFET器件中第i根柵極距離擴散區左側的長度，Sbi表示同一MOSFET器件中第i根柵極距離擴散區右側的長度。

2.根據權利要求1所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，所述MOSFET器件為多柵極、漏源共用的MOSFET器件。

3.根據權利要求1或2所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，所述MOSFET器件位于一半導體襯底的擴散區內，其中，所述半導體襯底上包括淺溝槽隔離區，以及位于所述淺溝槽隔離區之間的擴散區，在所述擴散區內形成由多個子柵和位于所述多個子柵兩側的漏極和源極構成所述MOSFET器件。

4.根據權利要求3所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，步驟S1中所述基礎參數包括：MOSFET器件最左側子柵與所述擴散區左側之間的距離sa、MOSFET器件最右側子柵與所述擴散區右側之間的距離sb、各所述子柵間的間距sd、所述子柵的溝道長度lf以及所述子柵的數量nf。

5.根據權利要求4所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，步驟S2中包括計算每一根子柵距離擴散區左側的長度，以及每一根子柵距離擴散區右側的長度。

6.根據權利要求5所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，計算每一根子柵距離擴散區左側的長度，以及每一根子柵距離擴散區右側的長度的計算公式為：

Sai＝sa+(i-1)*(lf+sd)

Sbi＝sb+(i-1)*(lf+sd)

其中，sa為MOSFET器件最左側子柵與擴散區左側之間的距離，sb為MOSFET器件最右側子柵與擴散區右側之間的距離,i為大于等于2且小于等于nf的整數。

7.根據權利要求3所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，所述MOSFET器件為具有應力效應參數抽取的MOSFET。

8.根據權利要求7所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，所述MOSFET器件為PMOSFET或NMOSFET。

9.根據權利要求7所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，所述MOSFET器件為射頻MOSFET器件。

10.根據權利要求1所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，進一步還包括：

S4：利用LVS物理驗證文件，抽取網表。

11.根據權利要求10所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，利用LVS物理技術文件對所述MOSFET器件的LOD參數進行抽取與計算，并生成網表。

12.根據權利要求10所述的MOSFET器件的應力效應參數抽取與計算方法，其特征在于，使用電子設計自動化工具物理驗證工具calibre，編輯代碼文件，抽取版圖中所述MOSFET器件的LOD參數，并將所述LOD參數帶入網表進行后期仿真。