[發明專利]晶片的生成方法在審
| 申請號: | 201910230928.1 | 申請日: | 2019-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN110349837A | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 平田和也;山本涼兵 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 單晶錠 六方晶 平坦化 剝離層 履歷 照射激光光線 激光光線 形成工序 聚光點 生成工序 透過性 波長 制造 剝離 殘留 關聯 | ||
提供晶片的生成方法,將所生成的晶片的履歷與六方晶單晶錠關聯而可靠地殘留在晶片上。晶片的生成方法包含如下工序:平坦化工序,對六方晶單晶錠(2)的端面進行平坦化;剝離層形成工序,從已平坦化的端面將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光光線(LB)的聚光點(FP)定位于相當于要生成的晶片(56)的厚度的深度而對六方晶單晶錠照射激光光線,形成剝離層(28);制造履歷形成工序,將激光光線(LB’)的聚光點(FP’)定位于要生成的晶片的不形成器件的區域而對六方晶單晶錠照射激光光線(LB’),在六方晶單晶錠的已平坦化的端面上形成制造履歷(29);以及晶片生成工序,以剝離層為起點將所要生成的晶片從六方晶單晶錠剝離而生成晶片。
技術領域
本發明涉及晶片的生成方法,從六方晶單晶錠生成晶片。
背景技術
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(藍寶石)等為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由交叉的多條分割預定線劃分而形成的。另外,功率器件、LED等是在以單晶SiC(碳化硅)為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由交叉的多條分割預定線劃分而形成的。形成有器件的晶片通過切削裝置、激光加工裝置對分割預定線實施加工而分割成各個器件芯片,分割得到的各器件芯片被用于移動電話或個人計算機等電子設備。
供器件形成的晶片通常是利用線切割機將圓柱形狀的半導體錠薄薄地切斷而生成的。切斷得到的晶片的正面和背面通過研磨而精加工成鏡面(例如,參照專利文獻1)。但是,當利用線切割機將半導體錠切斷并對切斷得到的晶片的正面和背面進行研磨時,半導體錠的大部分(70%~80%)會被浪費,存在不經濟的問題。特別是六方晶單晶SiC錠,其硬度高,難以利用線切割機切斷,需要花費相當長的時間,因此生產率差,并且錠的單價高,在高效地生成晶片方面具有課題。
因此,提出了下述技術:將對于六方晶單晶SiC具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于六方晶單晶SiC錠的內部而對六方晶單晶SiC錠照射激光光線,在切斷預定面形成剝離層,沿著形成有剝離層的切斷預定面將晶片從六方晶單晶SiC錠剝離(例如,參照專利文獻2)。
專利文獻1:日本特開2000-94221號公報
專利文獻2:日本特開2013-49161號公報
但是,存在如下的問題:從六方晶單晶錠生成的晶片的履歷未必清楚,即使在對晶片形成器件的過程中在器件上產生缺陷,也無法追溯晶片的履歷而追究器件的缺陷的原因。
該問題在利用線切割機將六方晶單晶錠切斷而生成晶片的情況下、或者在利用內圓鋸將六方晶單晶錠切斷而生成晶片的情況下均會產生,但存在難以將變得零散的晶片和六方晶單晶錠關聯的問題。
發明內容
由此,本發明的目的在于提供晶片的生成方法,能夠將所生成的晶片的履歷與六方晶單晶錠關聯而可靠地殘留在晶片上。
根據本發明,提供晶片的生成方法,從六方晶單晶錠生成晶片,其中,該晶片的生成方法具有如下的工序:平坦化工序,對六方晶單晶錠的端面進行平坦化;剝離層形成工序,從已平坦化的該端面將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于相當于要生成的晶片的厚度的深度而對六方晶單晶錠照射激光光線,形成剝離層;制造履歷形成工序,將激光光線的聚光點定位于要生成的晶片的不形成器件的區域而對六方晶單晶錠照射激光光線,在六方晶單晶錠的已平坦化的該端面上形成制造履歷;以及晶片生成工序,以剝離層為起點將所要生成的晶片從六方晶單晶錠剝離而生成晶片。
優選在該制造履歷形成工序中所形成的制造履歷包含六方晶單晶錠的批號、所生成的晶片的順序、制造年月日、制造工廠以及有助于生成的機型中的任意信息。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





