[發明專利]晶片的生成方法

在審

• 申請號: 201910230928.1
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN110349837A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 平田和也;山本涼兵
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片的生成方法，從六方晶單晶錠生成晶片，其中，

該晶片的生成方法具有如下的工序：

平坦化工序，對六方晶單晶錠的端面進行平坦化；

剝離層形成工序，從已平坦化的該端面將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于相當于要生成的晶片的厚度的深度而對六方晶單晶錠照射激光光線，形成剝離層；

制造履歷形成工序，將激光光線的聚光點定位于要生成的晶片的不形成器件的區域而對六方晶單晶錠照射激光光線，在六方晶單晶錠的已平坦化的該端面上形成制造履歷；以及

晶片生成工序，以剝離層為起點將所要生成的晶片從六方晶單晶錠剝離而生成晶片。

2.根據權利要求1所述的晶片的生成方法，其中，

在該制造履歷形成工序中所形成的制造履歷包含六方晶單晶錠的批號、所生成的晶片的順序、制造年月日、制造工廠以及有助于生成的機型中的任意信息。

3.根據權利要求2所述的晶片的生成方法，其中，

六方晶單晶錠是六方晶單晶SiC錠，其具有第一端面、與該第一端面相反的一側的第二端面、從該第一端面至該第二端面的c軸以及與該c軸垂直的c面，該c軸相對于該第一端面的垂線傾斜，通過該c面和該第一端面形成偏離角，

在該剝離層形成工序中，

將對于六方晶單晶SiC錠具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位于距離該第一端面相當于要生成的晶片的厚度的深度，并且使六方晶單晶SiC錠與該聚光點在與形成有該偏離角的方向垂直的方向上相對地移動而形成直線狀的改質層和從該改質層沿著該c面延伸的裂紋，并且使單晶SiC錠與該聚光點在形成有該偏離角的方向上相對地移動而按照規定的量進行轉位進給，從而形成剝離層，其中，所述直線狀的改質層按照如下的方式形成：使SiC分離成Si和C，接著照射的脈沖激光光線被之前形成的C吸收而使SiC連鎖性地分離成Si和C，從而形成該直線狀的改質層。