[發明專利]OLED面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201910228104.0 | 申請日: | 2019-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN110021643B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 彭斯敏;夏存軍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED面板,其特征在于,包括:
顯示區域和通孔,所述顯示區域圍設在所述通孔的周邊;
所述顯示區域包括封裝區,所述封裝區圍設在所述通孔的周側;所述封裝區包括一用于防止水氧入侵的雜化層,所述雜化層覆蓋所述封裝區和所述通孔的孔壁;
所述OLED面板包括一有機結構層;在所述封裝區中,在所述有機結構層中形成無機物,所述無機物與所述有機結構層結合形成所述雜化層;
所述OLED面板還包括像素定義層和設置在所述像素定義層上的有機發光層;
當所述有機結構層為所述像素定義層和所述有機發光層的組合時,在所述封裝區中,所述雜化層形成在所述有機發光層和所述像素定義層中;
當所述有機結構層為所述像素定義層時,在所述封裝區中,所述雜化層形成在所述像素定義層中。
2.根據權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,位于所述封裝區的有機結構層的表面為粗糙面。
3.根據權利要求1或2所述的OLED面板,其特征在于,所述雜化層上形成有一無機層,所述無機層與所述雜化層通過原子滲透技術一體形成。
4.根據權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,位于所述封裝區的像素定義層上開設有凹槽,所述雜化層覆蓋所述凹槽。
5.根據權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述OLED面板還包括設置在所述有機發光層上的封裝結構層,所述封裝結構層包括第一無機層、有機層和第二無機層,所述有機層設置在所述第一無機層和所述第二無機層之間;
所述第一無機層覆蓋所述有機發光層和所述雜化層上。
6.一種OLED面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成像素定義層,所述像素定義層包括一通孔區域和顯示區域,所述顯示區域圍設在所述通孔區域設置的周邊,所述顯示區域包括封裝區,所述封裝區圍設在所述通孔區域的周側;
在所述通孔區域上形成通孔;
在所述像素定義層上形成有機發光層;
在位于所述封裝區形成雜化層,所述雜化層覆蓋所述封裝區和所述通孔的孔壁;所述像素定義層和所述有機發光層組合形成有機結構層,或所述像素定義層為有機結構層;
在位于所述封裝區形成雜化層,包括以下步驟:在所述封裝區中,在所述有機結構層中形成無機物,所述無機物與所述有機結構層結合形成所述雜化層。
7.根據權利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在步驟:所述在位于所述封裝區形成雜化層,之前,所述方法還包括步驟:
將位于所述封裝區的有機結構層的表面處理為粗糙面。
8.根據權利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述像素定義層和所述有機發光層組合形成所述有機結構層;
所述在位于所述封裝區形成雜化層,包括:
在所述封裝區中,采用原子滲透技術在所述有機結構層中形成無機物,所述無機物與所述有機結構層結合形成雜化層。
9.根據權利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在形成所述雜化層之前,所述方法包括:
在所述封裝區中,去除所述有機發光層。
10.根據權利要求9所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述在位于所述封裝區形成雜化層,包括:
在所述封裝區中,采用原子滲透技術在所述像素定義層中形成無機物,所述無機物與所述像素定義層結合形成雜化層。
11.根據權利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述在位于所述封裝區形成雜化層,步驟中;
當采用原子滲透技術形成雜化層后,原子滲透技術繼續進行,在所述雜化層上形成一無機層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





