[發(fā)明專利]一種蒸鍍?cè)O(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910225350.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109943809B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃永振;武思平;劉高文;王成;羅鵬;王會(huì);邱林林;吳偉力 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 成珊 |
| 地址: | 065500 河*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 設(shè)備 | ||
1.一種蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,包括:
蒸鍍氣體供應(yīng)裝置,所述蒸鍍氣體供應(yīng)裝置包括蒸鍍氣體出口端,所述蒸鍍氣體出口端上形成有蒸鍍氣體出口;
蒸鍍氣體助推裝置,所述蒸鍍氣體助推裝置包括圍繞所述蒸鍍氣體供應(yīng)裝置的外壁的基座,所述基座圍繞所述蒸鍍氣體出口端設(shè)置,以及設(shè)置于所述基座上的噴氣出口,所述噴氣出口朝向所述蒸鍍氣體出口的上方設(shè)置;所述基座的內(nèi)壁與所述蒸鍍氣體供應(yīng)裝置的外壁具有間距;所述基座的內(nèi)壁與所述蒸鍍氣體供應(yīng)裝置的外壁間的水平距離小于或等于所述蒸鍍氣體出口口徑的2倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:沿蒸鍍氣體流動(dòng)方向,所述噴氣出口不低于所述蒸鍍氣體出口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:所述基座上設(shè)置有多個(gè)噴嘴,每個(gè)所述噴嘴具有至少一個(gè)所述噴氣出口,多個(gè)所述噴嘴環(huán)繞所述蒸鍍氣體出口端設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:所述基座包括環(huán)狀內(nèi)壁和環(huán)狀外壁,所述環(huán)狀外壁和所述環(huán)狀內(nèi)壁之間形成環(huán)形連續(xù)容納腔,所述環(huán)形連續(xù)容納腔的一側(cè)形成所述噴氣出口;
其中,所述噴氣出口為多個(gè),多個(gè)所述噴氣出口環(huán)繞所述蒸鍍氣體出口端設(shè)置;或
所述噴氣出口為環(huán)繞所述蒸鍍氣體出口端設(shè)置的一個(gè)連續(xù)出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:沿蒸鍍氣體流動(dòng)的方向,所述環(huán)狀外壁的頂部邊緣高于所述環(huán)狀內(nèi)壁的頂部邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,所述環(huán)狀外壁和所述環(huán)狀內(nèi)壁沿水平方向等距離設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:沿蒸鍍氣體流動(dòng)的方向,所述基座上設(shè)有至少兩組所述噴氣出口,每組所述噴氣出口包括環(huán)繞所述蒸鍍氣體出口端設(shè)置的多個(gè)噴氣出口或者一個(gè)連續(xù)設(shè)置的噴氣出口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:
相鄰兩組所述噴氣出口的噴射角度不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:同一組所述噴氣出口的氣體噴出角度不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:所述噴氣出口的氣體噴射方向與所述蒸鍍氣體出口所在平面夾角設(shè)置為θ,則θ滿足以下關(guān)系:
θ≤arctan(H/R),
其中,
H為蒸鍍氣體出口所在平面與基板表面之間的垂直距離;
R為噴氣出口與蒸鍍氣體出口中心之間的水平距離。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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