[發明專利]一種MOCVD托盤的處理方法在審
| 申請號: | 201910217966.3 | 申請日: | 2019-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN111719139A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 李強;鄧桃;劉飛;王朝旺;徐現剛 | 申請(專利權)人: | 濰坊華光光電子有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 王楠 |
| 地址: | 261061 山東省濰坊市奎文區*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mocvd 托盤 處理 方法 | ||
本發明涉及一種MOCVD托盤的處理方法,主要根據AlAs材料易于氧化的特性,在托盤上鍍覆AlAs材料和AlGaAs材料,方便后續對托盤處理時、可對托盤上的材料進行氧化,從根基對生長材料進行破壞,加快材料的脫落速率。同時,結合bake爐的高溫處理特性,對材料行進二次處理,從而讓材料更加容易處理,保證托盤的完整性與穩定性。
技術領域
本發明涉及一種對金屬有機化合物氣相沉淀(MOCVD)設備使用托盤的處理方法以達到使托盤能夠快速簡易清理的目的,屬于半導體技術領域。
背景技術
伴隨著現代社會的發展,資源問題日益突出,如何能夠尋找無污染、可再生的資源成為擺在我們面前的首要問題,可持續發展與生態環境的保護也日益成為我們工作關注的重點。如何在不耽誤現有生產力的基礎上,找到更好的能源替代者,或者減少能源消耗,已經逐漸的成為了我們現有工作的方向。
于是在這種情況下,基于LED的特性,它開始得到廣泛的應用。LED的內在特征決定了它是最理想的光源去代替傳統的光源,以達到我們節能降耗的目的。LED有著廣泛的用途以及不可替代的優勢:一、體積小,LED基本上都是一塊很小的晶片被封裝在環氧樹脂里面,所以它非常的小,非常的輕;二、耗電量低,LED耗電相當低,一般來說LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是0.02-0.03A。這就是說:它消耗的電能不超過0.1W,這就為我們在能源方面的工作提出了指導性的意義;三、使用壽命長,LED光源固體冷光源,環氧樹脂封裝,燈體內也沒有松動的部分,不存在燈絲發光易燒、熱沉積、光衰等缺點,在恰當的電流和電壓下,使用壽命可達6萬到10萬小時,比傳統光源壽命長10倍以上;四、高亮度、低熱量,LED使用冷發光技術,發熱量比普通照明燈具低很多;五、環保,環保效益更佳,光譜中沒有紫外線和紅外線,既沒有熱量,也沒有輻射,眩光小,而且廢棄物可回收,沒有污染不含汞元素,冷光源,可以安全觸摸,屬于典型的綠色照明光源LED是由無毒的材料作成,不像熒光燈含水銀會造成污染,同時LED也可以回收再利用;六、堅固耐用,LED是被完全的封裝在環氧樹脂里面,它比燈泡和熒光燈管都堅固。燈體內也沒有松動的部分,這些特點使得LED可以說是不易損壞的;七、高節能:節能能源無污染即為環保。直流驅動,超低功耗(單管0.03-0.06瓦)電光功率轉換接近100%,相同照明效果比傳統光源節能80%以上;八、多變幻,LED光源可利用紅、綠、藍三基色原理,在計算機技術控制下使三種顏色具有256級灰度并任意混合,即可產生256×256×256=16777216種顏色,形成不同光色的組合變化多端,實現豐富多彩的動態變化效果及各種圖像。
由于LED具有如此不可忽略與替代的優勢,如何制造出高亮度、符合我們要求的產品又成為我們的工作重點。金屬有機物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical VapourDeposition,簡稱MOCVD)設備是目前世界范圍內進行所有半導體化合物生長的成熟技術。
MOCVD技術自二十世紀六十年代首先提出以來,經過七十至八十年代的發展,九十年代已經成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長技術。目前已經在砷化鎵、磷化銦等光電子材料生產中得到廣泛應用。
外延技術與設備是外延片制造技術的關鍵所在,金屬有機物化學氣相淀積(Metal-Organic Chemical VaporDeposition,簡稱MOCVD)技術是生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。II、III族金屬有機化合物通常為甲基或乙基化合物,如:Ga(CH3)3,In(CH3)3,Al(CH3)3,Ga(C2H5)3,Zn(C2H5)3等,它們大多數是高蒸汽壓的液體或固體。用氫氣或氮氣作為載氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3,PH3,AsH3)混合,再通入反應室,在加熱的襯底表面發生反應,外延生長化合物晶體薄膜。
MOCVD設備作為能夠進行快速大量生產的設備,在市場上收到廣泛好評。而托盤作為承載生長的介質,如何能夠保證快速且高效的處理托盤,為生長提供一個穩定的條件,就成為限制批量生長的條件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





