[發(fā)明專利]一種MOCVD托盤的處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910217966.3 | 申請日： | 2019-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN111719139A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李強(qiáng);鄧桃;劉飛;王朝旺;徐現(xiàn)剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 濰坊華光光電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 山東省濰坊市奎文區(qū)*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mocvd 托盤 處理 方法 | ||
1.一種MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，包括步驟如下：
(1)、在托盤上預(yù)裝廢棄陪片；
(2)、將新托盤置于MOCVD設(shè)備中，對托盤進(jìn)行高溫處理，去除托盤中包含的水氧；
(3)、在托盤上覆蓋一層AlAs材料；
(4)、在AlAs材料上覆蓋一層AlGaAs材料；
(5)、覆蓋材料后，在托盤上形成一層新的界面，托盤可正常使用；
(6)、當(dāng)托盤達(dá)到更換條件后，將托盤置于空氣中，對生長的材料從基層開始氧化24h；
(7)、將托盤置于bake爐中，在高溫條件下對托盤進(jìn)行烘烤，同時利用標(biāo)準(zhǔn)氣體對托盤進(jìn)行吹掃，所述標(biāo)準(zhǔn)氣體為氫氣和氮氣的混合氣；
(8)、托盤處理后，清理掉托盤表面在高溫處理過程中殘余的材料，然后用高壓氮氣對托盤表面進(jìn)行吹掃；
(9)、處理完成后，將托盤置于N2環(huán)境中保存，下次待用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(2)中，對托盤進(jìn)行高溫處理的溫度為700℃-800℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(3)中，以650±50℃的溫度在托盤上覆蓋AlAs材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(3)中，所覆蓋的AlAs材料的厚度為1000-2000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(4)中，所覆蓋的AlGaAs材料的厚度為2-4um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(7)中，托盤置于bake爐后達(dá)到的高溫條件為1200-1300℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD托盤的處理方法，其特征在于，步驟(7)中，所述標(biāo)準(zhǔn)氣體為7％的氫氣和93％的氮氣的混合氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
