[發明專利]半導體封裝件及制造該半導體封裝件的方法

在審

• 申請號: 201910216950.0
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN110797311A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 吳準英;金賢基;金祥洙;金承煥;李镕官
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體封裝件，包括：

封裝件襯底；

至少一個半導體芯片，其安裝在所述封裝件襯底上；以及

模制構件，其圍繞所述至少一個半導體芯片，

所述模制構件包括填料，

所述填料中的每一個包括芯和圍繞所述芯的涂層，

所述芯包括非電磁材料，

所述涂層包括電磁材料，并且

所述模制構件包括分別具有所述填料的不同分布的區域。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

利用焊料凸塊將所述至少一個半導體芯片電連接至所述封裝件襯底，并且

所述模制構件中的所述填料布置在所述焊料凸塊中的每一個周圍，在所述模制構件中的各個區域中，在所述至少一個半導體芯片與所述封裝件襯底之間的區域中所述模制構件中的所述填料具有相對高的分布。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，在所述至少一個半導體芯片的外圍區域處以相對高的分布布置所述模制構件中的所述填料。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，所述填料與所述半導體芯片間隔開，并且在所述模制構件中的各個區域中，所述填料以相對高的分布布置在所述模制構件的上部區域中。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

所述模制構件中的所述填料被構造為在減輕所述封裝件襯底的翹曲的方向上運動，并且

所述模制構件被構造為根據所述填料的不同分布在所述模制構件中的各個區域中的不同區域中具有不同的熱膨脹系數。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，

所述模制構件的各個區域包括所述模制構件的上部區域和所述模制構件的下部區域，

所述模制構件的上部區域中的熱膨脹系數和所述模制構件的下部區域中的熱膨脹系數彼此不同。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

所述填料包括第一填料和第二填料，

所述第一填料被構造為與所述第二填料相比對電場作出相對強的反應，

所述第二填料被構造為與所述第一填料相比對電場作出相對弱的反應，并且

所述第一填料和所述第二填料布置在所述模制構件中的各個區域中的不同區域中。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，

所述第一填料的直徑與所述第二填料的直徑不同，并且

所述第一填料的涂層中的材料與所述第二填料的涂層中的材料相同。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

所述填料包括第一填料和第二填料，

所述第一填料響應于磁場具有在第一方向上的力，

所述第二填料響應于磁場具有在第二方向上的力，

所述第二方向與所述第一方向相反，并且

所述第一填料和所述第二填料布置在所述模制構件中的各個區域中的不同區域中。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝件，其中，

所述第一填料的涂層中的材料與所述第二填料的涂層中的材料不同。

11.一種半導體封裝件，包括：

封裝件襯底；

至少一個半導體芯片，其安裝在所述封裝件襯底上；以及

模制構件，其圍繞所述至少一個半導體芯片，

所述模制構件包括分布在環氧樹脂材料中的填料，

所述填料中的每一個包括芯和覆蓋所述芯的涂層，

所述芯為非電磁材料，

所述涂層為電磁材料，

所述填料被構造為響應于施加至所述模制構件的電場或磁場在所述模制構件中在特定方向上移動，并且

所述模制構件包括分別具有所述填料的不同分布的區域。