[發(fā)明專利]一種記憶體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910216042.1
• 申請(qǐng)日: 2019-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN109935591A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張明豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇時(shí)代全芯存儲(chǔ)科技股份有限公司;江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11517
• 分類號(hào): H01L27/11517
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

一種記憶體結(jié)構(gòu)及其制造方法，記憶體結(jié)構(gòu)包含基板、在基板上的浮柵介電層、在浮柵介電層上的第一浮柵及第二浮柵、分別在第一浮柵及第二浮柵上的第一控制柵極堆疊及第二控制柵極堆疊、選擇柵極介電層及覆蓋選擇柵極介電層的選擇柵極。第一凹槽分離第一浮柵及第二浮柵，且具有第一側(cè)壁。第二凹槽分離第一控制柵極堆疊及第二控制柵極堆疊，且具有由第一側(cè)壁凹陷的第二側(cè)壁。選擇柵極介電層覆蓋第一凹槽及第二凹槽。選擇柵極的底部及頂部分別填充于第一凹槽及第二凹槽中。本發(fā)明的記憶體結(jié)構(gòu)具有較大的電場(chǎng)，使電子更容易通過F?N穿隧方式由浮柵抹除至選擇柵極。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種記憶體結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是關(guān)于一種雙位元記憶體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

記憶體是電子裝置中的重要組成元件。其中，快閃記憶體(flash memory)是屬于非揮發(fā)性記憶體(non-volatile memory)，在未供電的狀態(tài)下仍可保持所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。此外，快閃記憶體具有可編程與可抹除信息的儲(chǔ)存能力，可允許在操作中被多次寫入(program)、讀取(read)及抹除(erase)。因此，快閃記憶體已廣泛地作為手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、筆記型電腦等各種電子產(chǎn)品的儲(chǔ)存媒體。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式，提供一種記憶體結(jié)構(gòu)包含基板、位于該基板之上的浮柵介電層、位于浮柵介電層之上的第一浮柵及第二浮柵、分別位于第一浮柵及第二浮柵之上的第一控制柵極堆疊及第二控制柵極堆疊、選擇柵極介電層、以及選擇柵極。第一浮柵及第二浮柵通過第一凹槽彼此分離，且第一凹槽具有第一側(cè)壁。第一控制柵極堆疊及第二控制柵極堆疊通過第二凹槽彼此分離，且第二凹槽具有第二側(cè)壁由第一凹槽的第一側(cè)壁凹陷。選擇柵極介電層共形地覆蓋第一凹槽及第二凹槽。選擇柵極覆蓋該選擇柵極介電層，其中選擇柵極具有底部部分填充于第一凹槽中，以及頂部部分填充于第二凹槽中。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，第一浮柵及第二浮柵分別具有尖端突出于第一控制柵極堆疊的側(cè)壁及第二控制柵極堆疊的側(cè)壁，且尖端朝向第一凹槽。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，選擇柵極的頂部部分具有寬度大于選擇柵極的底部部分的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，第一控制柵極堆疊具有寬度小于第一浮柵的寬度，且第二控制柵極堆疊具有寬度小于第二浮柵的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，基板包含多個(gè)源極/漏極區(qū)域，且第一浮柵、第二浮柵及選擇柵極位于兩相鄰的源極/漏極區(qū)域之間。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，第一控制柵極堆疊包含第一控制柵極介電層位于第一浮柵之上、第一控制柵極位于第一控制柵極介電層之上、第一間隔層位于第一控制柵極之上、以及第一間隙壁位于第一浮柵之上，并貼附于第一控制柵極介電層、第一控制柵極及第一間隔層的共同側(cè)壁，其中選擇柵極介電層覆蓋第一間隙壁。

根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施方式，第二控制柵極堆疊包含第二控制柵極介電層位于第二浮柵之上、第二控制柵極位于第二控制柵極介電層之上、第二間隔層位于第二控制柵極之上、以及第二間隙壁位于第二浮柵之上，并貼附于第二控制柵極介電層、第二控制柵極及第二間隔層的共同側(cè)壁，其中選擇柵極介電層覆蓋第二間隙壁。