[發明專利]基板、顯示面板以及基板的制備方法在審
| 申請號: | 201910214288.5 | 申請日: | 2019-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN109887983A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 徐海峰;熊正平;張鍇;王文濤;王培;劉紅燦;王承賢;王子峰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L23/532;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 基底 正投影 保護結構 中間層 第一電極 顯示面板 制備 第二材料層 不良現象 第一材料 同層設置 邊緣部 功能層 刻蝕液 刻蝕 絕緣 側面 覆蓋 | ||
本發明提供一種基板、顯示面板以及基板的制備方法,屬于顯示技術領域,其可解決現有的基板的引線的邊緣部被其它功能層的刻蝕液的刻蝕,從而導致的基板的多種不良現象的不足的問題。本發明的基板,包括:基底,設于基底上的多根引線,位于引線上方的中間層,位于中間層上方的第一電極;引線包括第一材料層和第二材料層;中間層具有過孔,過孔在基底上的正投影與引線在基底上的正投影部分重疊,且過孔在基底上的部分正投影超出引線在基底上的正投影;引線在過孔處的側面由保護結構覆蓋,保護結構與第一電極同層設置;與不同引線接觸的保護結構相互絕緣。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及一種基板、顯示面板以及基板的制備方法。
背景技術
目前,基板的多種不良現象(例如,顯示區顯示器件失效)是由引線的側面被用于刻蝕其它功能層(例如陽極層)的刻蝕液刻蝕所致。
具體而言,引線上方為中間層,中間層上方為第一電極。而引線的部分邊緣部上方沒有中間層,故用于形成第一電極的第一電極材料層會與該邊緣部接觸。又由于邊緣部處不應有第一電極,故要將與邊緣部接觸的第一電極材料層刻蝕掉,因存在過刻蝕,故引線的部分側面也會受到刻蝕。
參見圖1,引線通常包括在下的第一材料層21和在上的第二材料層22,且用于刻蝕第一電極材料層的刻蝕液對第一材料層21的刻蝕速率大于對第二材料層22的刻蝕速率。從而第一材料層21被刻蝕掉的部分大于第二材料層22被刻蝕掉的部分,導致引線2產生上大下小的結構,故位于引線上方的封裝層5無法將被刻蝕后的邊緣部的側面完全密封,該側面會與密封層之間形成空氣通道51,空氣極易通過該空氣通道51進入基板的顯示區內,顯示區內對空氣中的水汽、氧氣敏感的顯示器件會因此受到影響,從而造成了基板的多種不良現象。
發明內容
本發明至少部分解決現有的基板的引線的邊緣部被用于刻蝕其它功能層的刻蝕液刻蝕,從而導致的基板的多種不良現象的不足的問題,提供了一種在不增加基板功能層的前提下,避免了其它功能層的刻蝕液對基板的引線的邊緣部的刻蝕,從而增強了基板的密封性,從而提升了基板的信賴性的基板、顯示面板以及基板的制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種基板,包括:
基底,設于所述基底上的多根引線,位于所述引線上方的中間層,位于所述中間層上方的第一電極;
所述引線包括第一材料層和第二材料層,其中,第一材料層比第二材料層更靠近基底,且用于刻蝕所述第一電極的刻蝕液對所述第一材料層的刻蝕速率大于對所述第二材料層的刻蝕速率;
所述中間層具有過孔,所述過孔在基底上的正投影與所述引線在基底上的正投影部分重疊,且所述過孔在基底上的部分正投影超出所述引線在基底上的正投影;
所述引線在所述過孔處的側面由保護結構覆蓋,所述保護結構與所述第一電極同層設置;與不同所述引線接觸的所述保護結構相互絕緣。
可選地,所述保護結構還覆蓋所述引線在所述過孔處的邊緣區域。
可選地,所述基板包括顯示區和環繞所述顯示區周邊的周邊區,所述過孔設置于所述周邊區且環繞所述顯示區。
可選地,所述中間層上方設有有機發光二極管器件,所述有機發光二極管器件包括所述第一電極、位于所述第一電極上方的發光層、位于所述發光層上方的第二電極。
可選地,所述第一電極為陽極層,所述第二電極為陰極層。
可選地,所述第一材料層由鋁構成,所述第二材料層由鈦構成;
所述第一電極的材料包括氧化銦錫和銀。
可選地,所述基板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極,所述引線至少與所述柵極、所述源極、所述漏極中的一者同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





