[發(fā)明專利]基板、顯示面板以及基板的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910214288.5 | 申請日: | 2019-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN109887983A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐海峰;熊正平;張鍇;王文濤;王培;劉紅燦;王承賢;王子峰 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L23/532;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 基底 正投影 保護結(jié)構(gòu) 中間層 第一電極 顯示面板 制備 第二材料層 不良現(xiàn)象 第一材料 同層設(shè)置 邊緣部 功能層 刻蝕液 刻蝕 絕緣 側(cè)面 覆蓋 | ||
1.一種基板,包括:基底,設(shè)于所述基底上的多根引線,位于所述引線上方的中間層,位于所述中間層上方的第一電極;
其特征在于,
所述引線包括第一材料層和第二材料層,其中,第一材料層比第二材料層更靠近基底,且用于刻蝕所述第一電極的刻蝕液對所述第一材料層的刻蝕速率大于對所述第二材料層的刻蝕速率;
所述中間層具有過孔,所述過孔在基底上的正投影與所述引線在基底上的正投影部分重疊,且所述過孔在基底上的部分正投影超出所述引線在基底上的正投影;
所述引線在所述過孔處的側(cè)面由保護結(jié)構(gòu)覆蓋,所述保護結(jié)構(gòu)與所述第一電極同層設(shè)置;與不同所述引線接觸的所述保護結(jié)構(gòu)相互絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,所述保護結(jié)構(gòu)還覆蓋所述引線在所述過孔處的邊緣區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)周邊的周邊區(qū),所述過孔設(shè)置于所述周邊區(qū)且環(huán)繞所述顯示區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,所述中間層上方設(shè)有有機發(fā)光二極管器件,所述有機發(fā)光二極管器件包括所述第一電極、位于所述第一電極上方的發(fā)光層、位于所述發(fā)光層上方的第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板,其特征在于,所述第一電極為陽極層,所述第二電極為陰極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板,其特征在于,
所述第一材料層由鋁構(gòu)成,所述第二材料層由鈦構(gòu)成;
所述第一電極的材料包括氧化銦錫和銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極,所述引線至少與所述柵極、所述源極、所述漏極中的一者同層設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的基板,其特征在于,所述中間層為平坦化層。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括權(quán)利要求1至8中任一所述的基板。
10.一種基板的制備方法,其特征在于,包括:
在基板上形成多根引線;
在所述引線上方形成中間層,在所述中間層上形成過孔,所述過孔在基底上的正投影與所述引線在基底上的正投影部分重疊,且所述過孔在基底上的部分正投影超出所述引線在基底上的正投影;
在所述中間層上方形成第一電極材料層,對所述第一電極材料層進行刻蝕,形成第一電極、保護結(jié)構(gòu);
其中,所述引線包括第一材料層和第二材料層,其中,第一材料層比第二材料層更靠近基底,且用于刻蝕所述第一電極的刻蝕液對所述第一材料層的刻蝕速率大于對所述第二材料層的刻蝕速率;
所述引線在所述過孔處的側(cè)面由保護結(jié)構(gòu)覆蓋,與不同所述引線接觸的所述保護結(jié)構(gòu)相互絕緣。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





