[發(fā)明專利]無機膜層疊樹脂基板的分割方法及分割裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910208396.1 | 申請日: | 2019-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN110323155A | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高松生芳;瀧田陽平;國生智史;池田剛史 | 申請(專利權(quán))人: | 三星鉆石工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 樹脂基板 無機膜 激光照射工序 刻劃 分割 剝離 激光 分割裝置 激光透射 吸收區(qū)域 預(yù)先確定 露出面 跡道 切開 吸收 切割 照射 | ||
本發(fā)明提供一種能夠適合分割無機膜層疊樹脂基板的方法。對在樹脂基板層疊有無機膜的無機膜層疊樹脂基板分割的方法,具有:激光照射工序,在無機膜層疊樹脂基板中沿著預(yù)先確定的切割跡道,從無機膜一側(cè)對無機膜層疊樹脂基板照射能夠在樹脂基板中產(chǎn)生吸收的激光,通過僅在樹脂基板的與無機膜的界面附近的吸收區(qū)域中產(chǎn)生激光的吸收,從而使無機膜中激光透射了的區(qū)域剝離;以及刻劃工序,對通過激光照射工序造成的所述無機膜的剝離而形成的樹脂基板的露出面進行刻劃,從而將樹脂基板切開。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在樹脂基板上層疊有無機膜的無機膜層疊樹脂基板的分割。
背景技術(shù)
作為電子零件、有機EL等的顯示裝置等的基板,廣泛使用玻璃基板、半導(dǎo)體基板等的脆性材料基板、聚酰亞胺(PI)等的樹脂材料基板等的各種基板、或者通過將規(guī)定的基板彼此層疊或貼合而形成的層疊基板、貼合基板等。
作為脆性材料基板的加工(分割)的方法,已知有如下方法:利用刀輪(刻劃輪)形成初始裂縫后,進行兩次激光照射(例如,參照專利文獻1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第5314674號公報。
發(fā)明要解決的課題
作為如上述那樣的基板中的一種,有時采用在聚酰亞胺基板的一個主表面上涂敷了數(shù)百nm左右的厚度的規(guī)定的無機膜(例如由SiO2、SiNx等構(gòu)成的玻璃膜)的基板(以下,稱為無機膜層疊樹脂基板),在聚酰亞胺基板的該一個主表面形成有金屬布線。
當(dāng)要通過激光照射對這樣的無機膜層疊樹脂基板進行分割時,通過吸收了激光的構(gòu)成樹脂基板的碳原子被等離子化,從而碳(石墨)進行飛散而附著在金屬布線間,有時導(dǎo)致使金屬布線產(chǎn)生短路。
此外,當(dāng)使用劃線器等工具進行機械加工時,在無機膜中裂紋伸展,有時由于該裂紋伸展導(dǎo)致金屬布線被切斷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的,其目的在于提供一種能夠適合分割無機膜層疊樹脂基板的方法。
用于解決課題的方案
為了解決上述問題,第一方式的發(fā)明是一種無機膜層疊樹脂基板的分割方法,對在樹脂基板層疊有無機膜的無機膜層疊樹脂基板進行分割,其特征在于,具有:激光照射工序,在所述無機膜層疊樹脂基板中沿著預(yù)先確定的切割跡道,從所述無機膜一側(cè)對所述無機膜層疊樹脂基板照射能夠在所述樹脂基板中產(chǎn)生吸收的激光,通過僅在所述樹脂基板的與所述無機膜的界面附近的吸收區(qū)域中產(chǎn)生所述激光的吸收,從而使所述無機膜中所述激光透射了的區(qū)域剝離;以及刻劃工序,對通過所述激光照射工序造成的所述無機膜的剝離而形成的所述樹脂基板的露出面進行刻劃,從而將所述樹脂基板切開。
在第二方式的發(fā)明中,根據(jù)第一方式的發(fā)明所述的無機膜層疊樹脂基板的分割方法,其特征在于,在所述刻劃工序中,使用超硬制品的、厚度為0.4mm~1.2mm、直徑為4mm~10mm、刀刃角為15°~90°(例如15°~60°,特別是15°~45°)的銳角的刻劃輪來對所述樹脂基板的露出面刻劃。
在第三方式的發(fā)明中,根據(jù)第二方式的發(fā)明所述的無機膜層疊樹脂基板的分割方法,其特征在于,所述樹脂基板為聚酰亞胺基板,所述無機膜為SiO2或SiNX的玻璃膜,所述激光為UV激光。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





