[發明專利]無機膜層疊樹脂基板的分割方法及分割裝置在審
| 申請號: | 201910208396.1 | 申請日: | 2019-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN110323155A | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 高松生芳;瀧田陽平;國生智史;池田剛史 | 申請(專利權)人: | 三星鉆石工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 樹脂基板 無機膜 激光照射工序 刻劃 分割 剝離 激光 分割裝置 激光透射 吸收區域 預先確定 露出面 跡道 切開 吸收 切割 照射 | ||
1.一種無機膜層疊樹脂基板的分割方法,對在樹脂基板層疊有無機膜的無機膜層疊樹脂基板進行分割,其特征在于,具有:
激光照射工序,在所述無機膜層疊樹脂基板中沿著預先確定的切割跡道,從所述無機膜一側對所述無機膜層疊樹脂基板照射能夠在所述樹脂基板中產生吸收的激光,通過僅在所述樹脂基板的與所述無機膜的界面附近的吸收區域中產生所述激光的吸收,從而使所述無機膜中所述激光透射了的區域剝離;以及
刻劃工序,對通過所述激光照射工序造成的所述無機膜的剝離而形成的所述樹脂基板的露出面進行刻劃,從而將所述樹脂基板切開。
2.根據權利要求1所述的無機膜層疊樹脂基板的分割方法,其特征在于,
在所述刻劃工序中,使用超硬制品的、厚度為0.4mm~1.2mm、直徑為4mm~10mm、刀刃角為15°~90°的銳角的刻劃輪對所述樹脂基板的露出面進行刻劃。
3.根據權利要求2所述的無機膜層疊樹脂基板的分割方法,其特征在于,
所述樹脂基板為聚酰亞胺基板,
所述無機膜為SiO2或SiNX的玻璃膜,
所述激光為UV激光。
4.一種無機膜層疊樹脂基板的分割裝置,其用于對在樹脂基板層疊有無機膜的無機膜層疊樹脂基板進行分割,其特征在于,具有:
工作臺,其能夠水平地載置并固定所述無機膜層疊樹脂基板,且能夠在水平面內移動;
激光照射部,其能夠對載置并固定在所述工作臺的所述無機膜層疊樹脂基板照射能夠在所述樹脂基板中產生吸收的激光;以及
刻劃處理部,其能夠對載置并固定在所述工作臺的所述無機膜層疊樹脂基板進行刻劃,
通過使載置所述無機膜層疊樹脂基板的所述工作臺移動,同時從所述激光照射部使所述激光射出,從而在所述無機膜層疊樹脂基板中沿著預先確定的切割跡道,從所述無機膜一側對所述無機膜層疊樹脂基板照射所述激光,通過僅在所述樹脂基板的與所述無機膜的界面附近的吸收區域中產生所述激光的吸收,由此使所述無機膜中所述激光透射了的區域剝離,
所述刻劃處理部對通過所述無機膜的剝離而形成的所述樹脂基板的露出面進行刻劃,從而將所述樹脂基板進行切開。
5.根據權利要求4所述的無機膜層疊樹脂基板的分割裝置,其特征在于,
所述刻劃處理部具有超硬制的、厚度為0.4mm~1.2mm、直徑為4mm~10mm、刀刃角為15°~90°的銳角的刻劃輪,
通過所述刻劃輪對所述樹脂基板的露出面刻劃。
6.根據權利要求5所述的無機膜層疊樹脂基板的分割裝置,其特征在于,
所述激光照射部和所述刻劃處理部設置成在所述工作臺的移動方向上分離規定距離,且從所述激光照射部射出的所述激光的光束中心和所述刻劃輪的刀刃位于一個垂直平面上,
在通過所述工作臺進行的所述無機膜層疊樹脂基板的一次的移動動作的期間,連續地進行通過來自所述激光照射部的所述激光的照射而進行的所述無機膜的剝離、和所述刻劃處理部對所述樹脂基板的所述露出面的刻劃。
7.根據權利要求4至6的任一項所述的無機膜層疊樹脂基板的分割裝置,其特征在于,
所述樹脂基板為聚酰亞胺基板,
所述無機膜為SiO2或SiNX的玻璃膜,
所述激光為UV激光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





