[發明專利]一種單晶圓棒少子壽命測試方法有效
| 申請號: | 201910204020.3 | 申請日: | 2019-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN109904092B | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 張紅霞;李建弘;梁宇飛;高建芳;李耀龍;栗鋼;李延彬;白建軍;王林;王建平 | 申請(專利權)人: | 內蒙古中環光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶圓棒 少子 壽命 測試 方法 | ||
本發明提供一種單晶圓棒少子壽命測試方法,所述測試方法步驟為:S1、在所述圓棒體柱面上選出被測位置;S2、在所述被測位置上進行加工平面;S3、在所述平面上進行機械打磨;S4、清洗所述平面;S5、采用少子壽命測試儀器對所述平面進行測試。本發明提出一種快速檢測單晶圓棒少子壽命方法,采用本發明的測試方法所測試的結果接近于現有技術測試方法所測的少子壽命,所有測試數據穩定且再現性較好,數據差值波動很小,可準確反應單晶圓棒的少子壽命的結果,提高了少子壽命的測試時間,為后續生產縮短了加工周期,節約了生產資源,提高了工作效率。
技術領域
本發明屬于太陽能電池硅片技術領域,尤其是涉及一種單晶圓棒少子壽命測試方法。
背景技術
目前對太陽能電池硅片所用的單晶圓棒少子壽命的測試方法是:先把整顆單晶圓棒劃線,把去掉頭尾部的圓棒提前預分為若干段,并在尾部段圓棒的兩端預留取樣;再在各樣片表面上進行化學拋光腐蝕,腐蝕溶液是氫氟酸與硝酸的混合溶液,目的是為了去除樣片表面上的損傷層并對樣片表面進行清洗;而后再對拋光后的樣片在碘酒-無水乙醇的鈍化溶液中進行鈍化預處理,目的是降低樣片表面復合速率使其最大限度地不再干擾體復合壽命;最后再用少子壽命測試儀對樣片進行多點測試,取其平均值,即為尾部端圓棒的少子壽命。因每顆單晶以頭部端面為基準進行長度劃線,靠近頭部方向的圓棒料按照標準長度尺寸進行截斷,最后靠近尾部的圓棒料為非標準長度的圓棒料,具體劃線樣片的位置如圖1所示,最終可測得樣片5與樣片6的少子壽命值,根據所測結果與標準少子壽命值進行比較,若樣片5不符合標準要求,需在圓棒3靠近樣片5的一端重新取樣,再依次按照上述測試方法進行測試,直至樣片測試結果合格為止;若樣片6不符合標準,則需在圓棒4靠近樣片6的位置重新取樣再測試,直至測試結果合格為止。
但上述測試方法會出現以下問題:首先,每次單晶圓棒先劃線分段后再取樣,而后再對樣片進行拋光、鈍化、測試,這一檢測過程較長,且每次樣片取樣需多道工序多人相互配合,費時費力;其次,這一測試方法會導致經常出現很多小于標準長度的棒料,非標準長度的圓棒經去除邊皮后再形成方棒,多段非標準長的方棒拼接共同形成標準長度要求的棒料再進行切片,導致生產周期較長且工作效率很低,成本較高;再次,現場取樣容易導致很多分段的圓棒積壓,需很多場地及人員進行維護、標識,資源浪費嚴重;還有,需要大量的化學試劑,存在安全隱患,同時,被測樣片重復利用率低。
發明內容
本發明針對上述現有技術中存在的問題,只需在單晶圓棒端部棱線位置旁邊打磨一平面,經機械拋光之后再進行清洗,即可測試少子壽命,目的是為了解決現有技術中檢測時間長、工作效率低、生產成本高的技術問題。
本發明的上述技術目的是通過以下技術方案實現的:
一種單晶圓棒少子壽命測試方法,所述測試方法步驟為:
S1、在所述圓棒體柱面上選出被測位置;
S2、在所述被測位置上進行加工平面;
S3、在所述平面上進行機械打磨;
S4、清洗所述平面;
S5、采用少子壽命測試儀器對所述平面進行測試;
所述測試結果即為所述被測位置處在所述圓棒上的少子壽命,所述測試結果大于標準少子壽命值,則以所述被測位置處為基準,對所述圓棒進行劃線取段。
進一步的,所述S1具體步驟為:
S11、在所述圓棒的體柱面上找出與所述圓棒軸向平行的四個棱線,并選出任一所述棱線;
S12、在沿所述棱線方向遠離所述圓棒尾部端面取第一距離;
S13、在所述第一距離范圍內,并垂直于所述棱線的截面上,在靠近所述棱線位置且置于相鄰所述棱線之間連接的圓弧面上取第二距離;
S14、所述被測位置設于所述第二距離范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





